セキネ カヲリ
Sekine Kawori
関根 かをり 所属 明治大学 理工学部 職種 専任教授 |
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言語種別 | 英語 |
発行・発表の年月 | 2009/02 |
形態種別 | 学術雑誌 |
標題 | Analysis and Modeling of Leakage Current for four - terminal MOSFET in Off-State and Low Leakage Switches |
執筆形態 | 共著(筆頭者) |
掲載誌名 | IEICE Transactions on Fundamentals, |
巻・号・頁 | Vol.E92-A(No.2),pp.pp. 421-429 |
著者・共著者 | T. Eto and H. Takakubo |
概要 | 低電源電圧動作におけるMOSFETのオフ状態におけるリーク電流を低減するために、わずかな電圧をソース端子に印加することによりソース‐基板間に逆バイアスを与える手法を提案する。このバイアス条件についてpn接合における注入キャリア密度とMOSダイオードにおける表面キャリア濃度より解析し、リーク電流をモデル化した。0.18μm標準CMOSプロセスにて試作し、共同装置で実測し、提案モデルは実測結果と良く一致した。 |