ツツミ　トシユキ   Tsutsumi Toshiyuki   堤　利幸    所属   明治大学  理工学部    職種   専任教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2003/12
形態種別	学術雑誌
標題	"Systematic Electrical Characteristics of Ideal Rectangular Cross Section Si-Fin Channel Double-Gate MOSFETs Fabricated by a Wet Process"
執筆形態	共著(筆頭者以外)
掲載誌名	IEEE Transactions on Nanotechnology,The IEEE Electron Devices Society
巻・号・頁	Vol.2(No.4),pp.pp198-204
著者・共著者	Yongxun LIU, Kenichi ISHII, Toshiyuki TSUTSUMI, Meishoku MASAHARA, Toshihiro Sekigawa, Kunihiro Sakamoto, Hedenori TAKASHIMA, Hiromi Yamauchi, and Eiichi SUZUKI