ツツミ　トシユキ   Tsutsumi Toshiyuki   堤　利幸    所属   明治大学  理工学部    職種   専任教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	1999/06
形態種別	学術雑誌
標題	An Experimental 40-nm Gate Length 4-nm-Thick SOI n-MOSFET(国際会議)
執筆形態	共著(筆頭者)
掲載誌名	The Japan Society of Applied Physics and The JapanThe IEEE Electron Device Society1999 Silicon Nanoelectronics Workshop Abstracts, Kyoto
巻・号・頁	pp.72-73
著者・共著者	◎Seigo Kanemaru* , Kenichi Ishii* , Tatsuro Maeda* , Toshiyuki Tsutsumi(助手) , Hiroshi Hiroshima* , Eiichi Suzuki*