オグラ　アツシ   Ogura Atusi   小椋　厚志    所属   明治大学  理工学部    職種   専任教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2013/06/18
標題	HfO₂/Ge界面へのルチル型TiO₂挿入によるGeOx生成の抑制 (シリコン材料・デバイス)
掲載誌名	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
出版社・発行元	一般社団法人電子情報通信学会
巻・号・頁	113(87),25-28頁
著者・共著者	小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋 厚志, 知京 豊裕
概要	Siに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている.しかしながら、high-k/Ge界面の界面準位が大きいことが問題となっている。この問題を解決するために、我々はGe表面のパッシベーション層としてのルチル型TiO_2の効果を調べた。HfO_2とGeとの間にルチル型TiO_2を堆積させた結果、GeO_xの生成が効果的に抑制された。さらに、C-V測定において、小さなヒステリシス、EOT=0.84nmの優れた電気特性が得られた。
ISSN	0913-5685
NAID	110009778907
PermalinkURL	http://ci.nii.ac.jp/naid/110009778907