(最終更新日:2018-03-01 13:27:09)
  カツマタ ヒロシ   KATSUMATA Hiroshi
  勝俣 裕
   所属   理工学部
   職種   専任准教授
■ 著書・論文
1. 著書  研究室紹介 明治大学理工学部電気電子生命学科オプトバイオエレクトロニクス研究室 (単著) 2018/01
2. 論文  メカニカルミリング法と放電プラズマ焼結法によるβ-FeSi2の作製とその応用 (共著) 2016/06
3. 論文  Synthesis and crystal growth of Mg2Si by the liquid encapsulated vertical gradient freezing method (共著) 2015/07
4. 論文  Optical transition in nanocrystalline Si doped SiO2 thin films formed by co-sputtering (共著) 2014/02
5. 論文  Effects of Ga doping and nitridation on ZnO films prepared by RF Sputtering (共著) 2013/01
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■ 学会発表
1. 2017/10/17 Blue and red photoluminescence from Eu and Si codoped AlN films formed by reactive co-sputtering(TACT2017 International Thin Films Conference (C-P-0171))
2. 2017/10/17 Prediction of nanocrystalline-Si size in SiO2 matrix based on LSW theory(TACT2017 International Thin Films Conference (C-P-0147))
3. 2017/09/08 共スパッタリング法によるMg2Si1-xSnx薄膜の形成(第78回応用物理学会秋季学術講演会(7p-PB4-7))
4. 2017/08/10 Crystal Growth of Mg2Si for Thermoelectric Applications by the Liquid Encapsulated Vertical Gradient Freezing Method(EMN 3CG & Metallic Glasses Meeting (pp.35-36))
5. 2017/07/29 VGF法によるMg2Si結晶成長における原料形態および液体封止材の充填量の影響(第17回シリサイド系半導体夏の学校(p.53))
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■ 学歴
1. 1988/04~1992/03 明治大学 工学部 電気工学科 卒業
2. 1992/04~1994/03 明治大学大学院 工学研究科 電気工学専攻 修士課程修了 修士(工学)
3. 1994/04~1997/03 明治大学大学院 理工学研究科 電気工学専攻 博士課程修了 博士(工学)
4. 1997/03/26
(学位取得)
明治大学 博士(工学)
■ 職歴
1. 1997/04~2000/03 京都大学 工学部 付属イオン工学実験施設 講師[研究機関研究員]
2. 2000/04~2010/03 株式会社東芝 生産技術センター プロセス研究センター
■ 学内役職・委員
1. 2017/04/01~2019/03/31 明治大学 学生相談員
■ 所属学会
1. 1992/07~ 応用物理学会
2. 2011/04 ∟ シリサイド系半導体と関連物質研究会 幹事
3. 2010/09~2014/12 日本希土類学会
4. 2011/01~ Materials Research Society
5. 2011/04~2013/12 電気化学会
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■ 研究課題・受託研究・科研費
1.   シリサイド系環境半導体材料の薄膜成長とその応用  (キーワード:シリサイド半導体,太陽電池,熱電素子,発光ダイオード)
2.   希土類添加半導体ナノクリスタル材料の開発  (キーワード:シリコン,エルビウム,ナノクリスタル)
■ ホームページ
   オプトバイオエレクトロニクス研究室
■ 受賞学術賞
1. 2015/11 Poster Award of Merit, International Thin Films Conference (TACT2015), National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan
2. 2011/08 Best Poster Report Award, Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT), Vladivostok, Russia
3. 2000/11 R.F.Bunshah Award for the Best Paper at 27th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films, American Vacuum Society.
■ 現在の専門分野
薄膜・表面界面物性(Thin Film and Surface Interface Physical Properties), 応用物性・結晶工学(Applied Physical Properties/Crystal Engineering), 電子・電気材料工学(Electron/Electric Material Engineering), 電子デバイス・電子機器(Electronic Device/Electronic Equipment) 
■ 取得特許
1. 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法(特開2003-347063)
2. 有機半導体装置およびその製造方法(特許4672319)
3. 酸化膜形成方法(特開2006-93445)
4. Method of manufacturing oxide film and method of manufacturing semiconductor device(US 2006/0068605 A1)
5. 電子デバイスの評価方法および電子デバイス(特開2007-73907)
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