セキネ　カヲリ   Sekine Kawori   関根　かをり    所属   明治大学  理工学部    職種   専任教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2009/08
形態種別	学術雑誌
標題	弱反転領域で動作するMOSFETを用いた２段積み構成回路における基板効果補償手法
執筆形態	共著(筆頭者)
掲載誌名	電気学会論文誌
巻・号・頁	Vol. 129(No. 8 / Sec. C),1505-1510頁
著者・共著者	下田亮、高窪統
概要	MOSFETにおける基板効果に関わるパラメータを抽出する回路技術を提案し、２段積み電圧減算回路へ応用する。提案回路では、MOSFETにおけるMOSダイオードの電圧効果とpn接合ダイオードの電圧効果が同等になるように制御され、縦積み構成回路における特性変動を補償する構成となっている。提案回路は、0.18μm 標準CMOSプロセスで試作され、共同装置で測定し、理論通りの基板効果が補償された良好な特性が得られた。