セキネ　カヲリ   Sekine Kawori   関根　かをり    所属   明治大学  理工学部    職種   専任教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2009/08
形態種別	学術雑誌
標題	電界効果バイポーラトランジスタを用いた弱反転動作MOSFETの特性改善手法
執筆形態	共著(筆頭者)
掲載誌名	電気学会論文誌　Vol. 129 / No. 8 / Sec. C
巻・号・頁	Vol. 129(No. 8 / Sec. C),1490-1498頁
著者・共著者	高窪統
概要	MOSFETを弱反転領域でラテラルバイポーラトランジスタのように動作させた場合に、エミッタ側pn接合を順方向バイアスすることで、固有利得の劣化を改善する手段として電界効果バイポーラトランジスタを利用する手法を提案する。弱反転領域で動作するMOSFETについて拡散電流モデルを提案し、動作解析を行う。共同装置で実測し、提案手法は、低電源電圧動作、高入力抵抗等の利点が得られている。