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ツツミ トシユキ
Tsutsumi Toshiyuki
堤 利幸 所属 明治大学 理工学部 職種 専任教授 |
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| 言語種別 | 英語 |
| 発行・発表の年月 | 2003/06 |
| 形態種別 | 国際会議議事録 |
| 標題 | "Electrical Property of Ideal Rectangular Si-Fin Channel Double-Gate MOSFETs" |
| 執筆形態 | 共著(筆頭者以外) |
| 掲載誌名 | Abstracts of 2003 Silicon Nanoelectronics Workshop,A Satellite Conference of the VLSI Symposium,The IEEE Electron Devices Society |
| 巻・号・頁 | pp.pp64-65 |
| 著者・共著者 | Y.X.Liu, K.Ishii, T.Tsutsumi, M.Masahara, T.Sekigawa, K.Sakamoto, H.Takashima, and E.Suzuki |