ツツミ トシユキ
Tsutsumi Toshiyuki
堤 利幸 所属 明治大学 理工学部 職種 専任教授 |
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言語種別 | 英語 |
発行・発表の年月 | 1999/05 |
形態種別 | 学術雑誌 |
標題 | Highly Suppressed Threshold Voltage Roll-off Characteristics of the 4 nm-Thick SOI n-MOSFETs in the 40-135 nm Gate Length Regime(国際会議) |
執筆形態 | 共著(筆頭者) |
掲載誌名 | The Electrochemical SocietyProceedings of the 9th International Symposium on SOI Technology and Devices, Seatle |
巻・号・頁 | pp.260-265 |
著者・共著者 | ◎Eiichi Suzuki* , Kenichi Ishii* , Seigo Kanemaru* , Tatsuro Maeda* , Toshiyuki Tsutsumi(助手) , Kiyoko Nagai* , Toshihiro Sekigawa* , Hiroshi Hiroshima* |