ツツミ トシユキ
Tsutsumi Toshiyuki
堤 利幸 所属 明治大学 理工学部 職種 専任教授 |
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言語種別 | 英語 |
発行・発表の年月 | 1999/04 |
形態種別 | 学術雑誌 |
標題 | Fabrication of 40-150 nm Gate Length Ultrathin n-MOSFETs using Epitaxial Layer Transfer SOI Wafers |
執筆形態 | 共著(筆頭者) |
掲載誌名 | The Japan Society of Applied Physics,Japanese Journal of Applied Physics |
巻・号・頁 | Vol.38 Part1 No.4B,pp.2492-2495 |
著者・共著者 | ◎Kenichi Ishii* , Eiichi Suzuki* , Sigo Kanamaru* , Tatsuro Maeda* , Toshiyuki Tsutsumi(助手) , Kiyoko Nagai* , Toshiro Sekkigawa* , Hiroshi Hiroshima* |