セキネ カヲリ
Sekine Kawori
関根 かをり 所属 明治大学 理工学部 職種 専任教授 |
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言語種別 | 日本語 |
発行・発表の年月 | 2009/08 |
形態種別 | 学術雑誌 |
標題 | 電界効果バイポーラトランジスタを用いた弱反転動作MOSFETの特性改善手法 |
執筆形態 | 共著(筆頭者) |
掲載誌名 | 電気学会論文誌 Vol. 129 / No. 8 / Sec. C |
巻・号・頁 | Vol. 129(No. 8 / Sec. C),1490-1498頁 |
著者・共著者 | 高窪統 |
概要 | MOSFETを弱反転領域でラテラルバイポーラトランジスタのように動作させた場合に、エミッタ側pn接合を順方向バイアスすることで、固有利得の劣化を改善する手段として電界効果バイポーラトランジスタを利用する手法を提案する。弱反転領域で動作するMOSFETについて拡散電流モデルを提案し、動作解析を行う。共同装置で実測し、提案手法は、低電源電圧動作、高入力抵抗等の利点が得られている。 |