セキネ　カヲリ   Sekine Kawori   関根　かをり    所属   明治大学  理工学部    職種   専任教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2009/02
形態種別	学術雑誌
標題	Analysis and Modeling of Leakage Current for four - terminal MOSFET in Off-State and Low Leakage Switches
執筆形態	共著(筆頭者)
掲載誌名	IEICE Transactions on Fundamentals,
巻・号・頁	Vol.E92-A(No.2),pp.pp. 421-429
著者・共著者	T. Eto and H. Takakubo
概要	低電源電圧動作におけるMOSFETのオフ状態におけるリーク電流を低減するために、わずかな電圧をソース端子に印加することによりソース‐基板間に逆バイアスを与える手法を提案する。このバイアス条件についてpn接合における注入キャリア密度とMOSダイオードにおける表面キャリア濃度より解析し、リーク電流をモデル化した。0.18μm標準CMOSプロセスにて試作し、共同装置で実測し、提案モデルは実測結果と良く一致した。