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Sekine Kawori
Department Undergraduate School , School of Science and Technology Position Professor |
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| Language | English |
| Publication Date | 2009/02 |
| Type | Academic Journal |
| Title | Analysis and Modeling of Leakage Current for four - terminal MOSFET in Off-State and Low Leakage Switches |
| Contribution Type | Co-authored (first author) |
| Journal | IEICE Transactions on Fundamentals, |
| Volume, Issue, Page | Vol.E92-A(No.2),pp.pp. 421-429 |
| Author and coauthor | T. Eto and H. Takakubo |
| Details | 低電源電圧動作におけるMOSFETのオフ状態におけるリーク電流を低減するために、わずかな電圧をソース端子に印加することによりソース‐基板間に逆バイアスを与える手法を提案する。このバイアス条件についてpn接合における注入キャリア密度とMOSダイオードにおける表面キャリア濃度より解析し、リーク電流をモデル化した。0.18μm標準CMOSプロセスにて試作し、共同装置で実測し、提案モデルは実測結果と良く一致した。 |