ヨコガワ　リョウ   YOKOGAWA RYO   横川　凌    所属   明治大学  理工学部    職種   助教
言語種別	英語
発行・発表の年月	2020/11
形態種別	学術雑誌
査読	査読あり
標題	Origin of carrier lifetime degradation in floating-zone silicon during a high-temperature process for insulated gate bipolar transistor
執筆形態	共著(筆頭者)
掲載誌名	Japanese Journal of Applied Physics
掲載区分	国外
巻・号・頁	59,pp.115503-1-115503-6
著者・共著者	Ryo Yokogawa, Hiroto Kobayashi, Yohichiroh Numasawa, Atsushi Ogura, Shin-ichi Nishizawa, Takuya Saraya, Kazuo Ito, Toshihiko Takakura, Shinichi Suzuki, Munetoshi Fukui, Kiyoshi Takeuchi, Toshiro Hiramoto