|
オグラ アツシ
Ogura Atusi
小椋 厚志 所属 明治大学 理工学部 職種 専任教授 |
|
| 発表年月日 | 2005/11 |
| 発表テーマ | Ni-silicide precursor for gate electrode |
| 発表形式 | 口頭(一般) |
| 発表者・共同発表者 | '27th International Symposium on Dry Process (Jeju, Korea) ◎M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, S. Imai, A. Ogura, H. Suzuki and Y.Ohshita' |