ヨコガワ リョウ
YOKOGAWA RYO
横川 凌 所属 明治大学 理工学部 職種 助教 |
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発表年月日 | 2020/09/29 |
発表テーマ | Chemical Structure of SiN Films Deposited on High Aspect Trench by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition |
会議名 | 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials |
学会区分 | 国際学会 |
発表形式 | 口頭(一般) |
単独共同区分 | 共同 |
発表者・共同発表者 | Tappei Nishihara, Ryo Yokogawa, Yuji Otsuki, Munehito Kagaya, Atsushi Ogura |