教員データベース - 勝俣　裕

1.	2021/11	論文	Evaluation of Insulating Magnetic Materials Composed of Epoxy Resin and Pure Iron Powder for Motor and Reactor Core Applications IEEJ Journal of Industry Applications 10(6),pp.606-611 （共著）
2.	2020/12	論文	Evaluation of Insulating Magnetic Materials Composed of Epoxy Resin and Pure Iron Powder for Motor and Reactor Core Applications Proceedings of the 23rd International Conference on Electrical Machines and Systems pp.139-144 （共著）
3.	2020/08	論文	Formation of Mg₂Si_1-xSn_x Thin Films by Co-sputtering and Investigation of their p-type Electrical Conduction Japanese Journal of Applied Physics, Conference Proceedings 8,pp.011003-1-011003-8 （共著）
4.	2020/08	論文	Structural, Optical and AC Conductivity Studies on Polycrystalline-Si/Nanocrystalline-FeSi₂ Composite Thin Films Japanese Journal of Applied Physics, Conference Proceedings 8,pp.011301-1-011301-6 （共著）
5.	2018/01	著書	研究室紹介　明治大学理工学部電気電子生命学科オプトバイオエレクトロニクス研究室真空ジャーナル (163),24-25頁（単著）
6.	2016/06	論文	メカニカルミリング法と放電プラズマ焼結法によるβ-FeSi₂の作製とその応用材料の科学と工学 53(3),78-81頁（共著）
7.	2015/07	論文	Synthesis and crystal growth of Mg₂Si by the liquid encapsulated vertical gradient freezing method Japanese Journal of Applied Physics 54,pp.085503-1-085503-5 （共著）
8.	2014/02	論文	Optical transition in nanocrystalline Si doped SiO₂ thin films formed by co-sputtering Canadian Journal of Physics 92,pp.732-735 （共著）
9.	2013/01	論文	Effects of Ga doping and nitridation on ZnO films prepared by RF Sputtering Material Research Society Symposium Proceedings 1494,pp.6 pages （共著）
10.	2013/01	論文	Optical band-gap of TiO₂ nanopowders doped with Al₂O₃ Material Research Society Symposium Proceedings 1493,pp.6 pages （共著）
11.	2012/05	論文	Growth of Si_0.5Ge_0.5 Single Crystals by the Traveling Liquidus-zone Method and their Structural Characterization Procedia Engineering 36,pp.404-410 （共著）
12.	2012/04	論文	Deposition of TaN Films by RF sputtering and their barrier properties in Cu/TaN/Dielectrics/Si MIS structures e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 10,pp.107-113 （共著）
13.	2012/01	論文	Development of microwave absorbing materials prepared from a polymer binder including Japanese lacquer and epoxy resin Physics Procedia 23,pp.69-72 （共著）
14.	2012/01	論文	Structural and electrical properties of Co-doped β-FeSi₂ thin films prepared by RF magnetron sputtering Physics Procedia 23,pp.9-12 （共著）
15.	2012/01	論文	Structural and electrical properties of β-FeSi₂ bulk materials for thermoelectric applications Physics Procedia 23,pp.13-16 （共著）
16.	2011/03	論文	Properties of TaN Films for ULSIs Prepared by Reactive Sputter Deposition Journal of Surface Analysis 17(3),pp.247-251 （共著）
17.	2011/03	論文	鉄シリサイド研究への取り組み第17回シリサイド系半導体研究会 24-28頁（共著）
18.	2011/02	論文	The effect of Crystalline Structure on Photoluminescence of the β-FeSi₂ Film Prepared by Pulsed Laser Deposition Using Two Types of Target Physics Procedia 11,pp.158-162 （共著）
19.	2010/12	論文	Photoluminescence properties of AlN:Eu,Si thin films Proc. of the 29th Symposium on Matererials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University pp.45-48 （共著）
20.	2010/12	論文	Photoluminescent propertiesof Er and Yb doped nc-Si/SiO₂ thin film Proc. of the 29th Symposium on Matererials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University pp.55-58 （共著）
21.	2010/12	論文	Resistivity variation of TaN thin films for barrier metal Proc. of the 29th Symposium on Matererials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University pp.49-54 （共著）
22.	2010/12	論文	The crystalline effect of the of the β-FeSi₂ film using two types target prepared by pulsed laser deposition IEEE Proc.of Int. Conf. on Electrical and Computer Engineering (ICECE 2010) pp.210-213 （共著）
23.	2004/06	論文	Pb-free bumping for high-performance SoCs IEEE Proceedings of 54th Electronic Components and Technology Conference, USA, IEEE, cat. No.04CH37546 1,pp.655-660 （共著）
24.	2003/09	論文	Development of dishing-less slurry for poly silicon chemical-mechanical polishing process Jpn. J. Appl. Phys. 42,pp.5433-5447 （共著）
25.	2003/06	論文	炭素電極を使用した電解水によるトレンチポリシリコン洗浄プロセスの検討電子情報通信学会論文誌Ｃ J86-C,623-633頁（共著）
26.	2002/09	論文	Oxygen plasma damage in GaAs directly exposed to surface-wave plasma Jpn. J. Appl. Phys. 41,pp.5762-5768 （共著）
27.	2002/08	論文	Characterization of a New Cleaning Method Using Electrolytic Ionized Water for Polysilicon Chemical Mechanical Polishing Process Jpn. J. Appl. Phys. 41,pp.5098-5103 （共著）
28.	2001/09	論文	Evaluation of oxygen-plasma damage in GaAs exposed to a surface-wave plasma source developed for the ashing process Jpn. J. Appl. Phys. 40,pp.5438-5443 （共著）
29.	2001/01	論文	Fabrication of heterostructure p-β-Fe_0.95Mn_0.05Si₂/n-Si diodes by Fe⁺ and Mn⁺ co-implantation in Si(100) substrates Thin Solid Films 381,pp.244-250 （共著）
30.	2000/11	論文	Etching, smoothing, and deposition with gas-cluster ion beam technology Surf. Coat. Technol. 133-134,pp.273-282 （共著）
31.	2000/03	論文	O₂ cluster ion-assisted deposition for tin-doped indium oxide films Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 161-163,pp.952-957 （共著）
32.	1999/12	論文	High-intensity oxygen cluster ion beam generation and its application to cluster ion-assisted deposition Eur. Phys. J. D, (9),pp.635-638 （共著）
33.	1999/03	論文	イオンビームプロセスによる受発光素子用半導体材料の作製とその光物性評価に関する研究明治大学理工学部研究報告 20(76),19-61頁（単著）
34.	1999/01	論文	Optical and electrical characterizations of Mn doped p-type β-FeSi₂ Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 147,pp.337-342 （共著）
35.	1998/11	論文	Optical Thin Film Formation by Gas-cluster Ion Beam Assisted Deposition AIP Proceedings of the 15th Int. Conf. on Application of Accelerators in Research and Industry, Denton, Texas, USA (475),pp.409-412 （共著）
36.	1998/09	論文	Formation of polycrystalline β-FeSi₂ layers by ion-implantation and their optical properties Mater. Sci. Eng. A 253,pp.284-291 （共著）
37.	1998/06	論文	Formation of oxide thin films for optical applications by O₂-cluster ion beam assisted deposition IEEE proceedings of the 12th International Conference on Ion Implantation Technology, Kyoto, Japan, IEEE Cat. No.98EX144 pp.1195-1198 （共著）
38.	1998/06	論文	Fullerene ion (C₆₀⁺) implantation in GaAs(100) substrate IEEE proceedings of the 12th International Conference on Ion Implantation Technology, Kyoto, Japan, IEEE Cat. No.98EX144 pp.1203-1206 （共著）
39.	1998/01	論文	Diffusion and defects in Yb implanted InP Defects and Diffusion Forum 157-159,pp.113-124 （共著）
40.	1997/05	論文	Effect of multiple-step annealing on the formation of semiconducting β-FeSi₂ and metallic α-Fe₂Si₅ on Si(100) by ion beam synthesis Jpn. J. Appl. Phys. 36,pp.2802-2812 （共著）
41.	1997/05	論文	Ion-beam-induced epitaxial crystallization (IBIEC) and solid phase epitaxial growth (SPEG) of Si_1-xC_x layers in Si fabricated by C ion implantation Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 127-128,pp.350-354 （共著）
42.	1997/03	論文	Fabrication of p-b-Fe1-xMnxSi2/n-Si Heterostructure Diode and Their Electrical and Optical Properties Materials Research Society Symposium Proceedings 478,pp.267-272 （共著）
43.	1997/03	論文	Ion beam synthesis and characterization of metastable group-IV alloy semiconductors Proceedings of the 7th International Symposium on Advanced Nuclear Energy Research, Takasaki, Japan 201-206,pp.218-223 （共著）
44.	1997/03	論文	Two- and three-step annealing effects of metallic and semiconducting iron silicides formed by ion beam synthesis Proceedings of the 7th International Symposium on Advanced Nuclear Energy Research, Takasaki, Japan pp.201-206 （共著）
45.	1997/01	論文	Crystallization of SiSn and SiSnC layers in Si by solid phase epitaxy and ion-beam-induced epitaxy Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 121,pp.199-202 （共著）
46.	1997/01	論文	Photoluminescence studies of epitaxial Si_1-xGe_x and Si_1-x-yGe_xC_y layers on Si formed by ion beam synthesis Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 121,pp.146-150 （共著）
47.	1996/12	論文	Growth of Ge_1-xC_x alloys on Si by combined low-energy ion beam deposition and molecular beam epitaxy method Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 438,pp.393-398 （共著）
48.	1996/11	論文	Optical absorption and photoluminescence studies of β-FeSi₂ prepared by heavy implantation of Fe⁺ ions into Si J. Appl. Phys. 80,pp.5955-5962 （共著）
49.	1996/08	論文	Electron spin resonance studies in β-FeSi₂ crystals J. Appl. Phys. 80,pp.1678-1681 （共著）
50.	1996/08	論文	Photoluminescence and Raman scattering studies of 2 MeV Yb⁺-implanted InP as a function of etching depth J. Appl. Phys. 80,pp.2383-2387 （共著）
51.	1996/08	論文	Synthesis of β-FeSi₂ for optical applications by Fe triple-energy ion implantation into Si(100) and Si(111) substrates Thin Solid Films 281-282,pp.252-255 （共著）
52.	1996/07	論文	Synthesis of metastable group-IV alloy semiconductors by ion implantation and ion-beam-induced epitaxial crystallization Appl. Surf. Sci. 100-101,pp.498-502 （共著）
53.	1996/03	論文	Electrical properties of β-FeSi₂ bulk crystal grown by horizontal gradient freeze method Proceedings of the 15th International Conference on Thermoelectrics, Pasadena, USA, IEEE Cat. No.96TH8169 pp.62-66 （共著）
54.	1996/03	論文	Optical, electrical and structural properties of polycrystalline β-FeSi₂ thin films fabricated by electron beam evaporation of ferrosilicon Proceedings of the 15th International Conference on Thermoelectrics, Pasadena, USA, IEEE Cat. No.96TH8169 pp.479-483 （共著）
55.	1995/12	論文	Heavily carbon-doped GaAs layers prepared by low-energy ion-beam impingement during molecular beam epitaxy Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B106,pp.133-136 （共著）
56.	1995/12	論文	Structural and optical characterization of β-FeSi₂ layers on Si formed by ion beam synthesis Thin Solid Films 270,pp.406-410 （共著）
57.	1995/11	論文	Growth of Si_1-xSn_x layers on Si by ion-beam-induced epitaxial crystallization (IBIEC) and solid phase epitaxial growth (SPEG) Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 396,pp.207-212 （共著）
58.	1995/11	論文	Structural properties of β-FeSi₂ bulk crystal grown by horizontal gradient freeze method Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 402,pp.331-336 （共著）
59.	1995/04	論文	Fabrication of epitaxial silicides thin films by combining low-energy ion beam deposition and silicon molecular beam epitaxy Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 387,pp.517-522 （共著）
60.	1995/04	論文	Ion-beam-induced epitaxy and solid phase epitaxy of SiGeC on Si formed by Ge and C ion implantation and their structural and optical properties Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 388,pp.189-194 （共著）
61.	1995/03	論文	Optical and crystalline properties of Yb implanted InP J. Appl.Phys. 77,pp.1881-1887 （共著）
62.	1995/02	論文	Optical and structural properties of β-FeSi₂ layers on Si fabricated by triple ⁵⁶Fe ion implantations Proceedings of the 9th International Conference on Ion Beam Modification of Materials, Canberra, Australia pp.943-946 （共著）
63.	1993	論文	Optical activity of Yb³⁺ in MeV ion-implanted InP Mater. Res. Soc. Symp. Proc. pp.201-206 （共著）
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■ 学会発表

1.	2023/11/13	Evaluation of the Effects of Structural Parameters on External Quantum Efficiency of Si/Mg₂Si Heterojunction Photodiodes Using Device Simulation（TACT2023 International Thin Films Conference (C-P-164)）
2.	2023/11/13	Impact of Interfacial SiO₂ Layers on the Photovoltaic Characteristics of n-type Nanocrystalline β‐FeSi₂ Embedded in Polycrystalline Si Formed on p-type Si Substrates（TACT2023 International Thin Films Conference (B-P-80)）
3.	2023/11/13	Optical and Electrical Properties of SiC Added SiO_x Films for Light Emitting and Sensing Devices（TACT2023 International Thin Films Conference (B-P-161)）
4.	2023/11/13	The Influence of Ar-N₂/O₂ Flow Ratio on the Types of Electrical Conductivity in Cu and N co-doped ZnO Films formed by RF Magnetron Co-Sputtering（TACT2023 International Thin Films Conference (C-P-134)）
5.	2023/09/23	n-ナノ結晶 β-FeSi₂含有Si薄膜/p-Siヘテロ接合素子の光起電力特性改善（第84回応用物理学会秋季学術講演会（23p-B205-5））
6.	2023/09/22	p型Mg2Si_1-xSn_x薄膜を用いたフォトダイオードの作製と特性評価（第84回応用物理学会秋季学術講演会（22a-B202-7））
7.	2023/09/22	SiC添加SiO_x薄膜の光吸収および発光特性の膜厚・熱処理温度依存性（第84回応用物理学会秋季学術講演会（22a-C401-7））
8.	2023/09/22	デバイスシミュレーションによるSi/Mg₂Siヘテロ接合フォトダイオードの構造パラメータの最適化（第84回応用物理学会秋季学術講演会（22a-B202-6））
9.	2023/09/21	Cu, N添加ZnO薄膜の電気伝導に及ぼす酸素流量比の影響（第84回応用物理学会秋季学術講演会（21p-P09-21））
10.	2023/07/26	SiC添加SiO_x薄膜からの可視発光増強とSiC量子ドットの物性予測（原子スケールシミュレーション活用セミナー2023）
11.	2023/07/22	Mg₂Si_1-xSn_x 薄膜の形成と赤外受光素子への応用（第20回シリサイド系半導体・夏の学校（P-6)）
12.	2023/07/22	SiC添加SiO_x薄膜の光物性評価と光デバイスへの応用（第20回シリサイド系半導体・夏の学校（P-9)）
13.	2023/07/22	SiN_x膜の光学的特性の成膜および熱処理条件依存性（第20回シリサイド系半導体・夏の学校（P-10)）
14.	2023/07/22	デバイスシミュレーションによるSi/Mg₂Si ヘテロ接合デバイスの光電変換特性の評価（第20回シリサイド系半導体・夏の学校（P-8)）
15.	2023/07/22	ナノ結晶β-FeSi₂/Si 複合薄膜の形成と光電変換素子への応用（第20回シリサイド系半導体・夏の学校（P-7)）
16.	2022/07/31	Correlation between Plasma Color and Properties of Mg₂Si Thin Films formed by RF Magnetron Sputtering（6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides (APAC SILICIDE 2022) (P-II-12, pp.151-15)）
17.	2022/03/24	RFマグネトロン共スパッタリング法によるSiC添加SiO_x系薄膜の作製と光吸収および発光スペクトルの評価（第69回応用物理学会春季学術講演会（24p－F408-4））
18.	2022/03/24	第一原理計算によるナノ結晶SiCの結晶構造および物性予測（第69回応用物理（24p－F408-3））
19.	2022/03/23	ナノ結晶β-FeSi₂/Si複合薄膜のキャリア密度制御（第69回応用物理学会春季学術講演（23a-F308-10）））
20.	2022/03	SiN_x膜の膜質に及ぼすスパッタガス圧力，Ar/N₂比及びSi添加の影響（第69回応用物理学会春季学術講演会（26a－E103-6））
21.	2021/12/14	Band Offsets and Charge-Discharge Characteristics of Semiconductor-Based Solid-State Rechargeable Battery with pin Structure（Material Research Meeting 2021 (MRM2021) (D2-PV22-08)）
22.	2021/11/15	Control of hole carrier density of Si/nanocrystalline β-FeSi₂ composite films by co-sputtering（TACT2021 International Thin Films Conference (A-P-106)）
23.	2021/11/15	Deposition of Mg₂Si_1-xSn_x films by co-sputtering using two different targets and a comparison of the effect of subsequent thermal annealing process on film properties（TACT2021 International Thin Films Conference (C-P-146)）
24.	2021/11/15	Effect of annealing temperature on the light absorption and visible photoluminescence spectra of nanocrystalline SiC embedded in SiO_x films prepared by co-sputtering（TACT2021 International Thin Films Conference (B-P-093)）
25.	2021/11/15	Film properties of silicon nitride thin films embedded with nanocrystalline Si（TACT2021 International Thin Films Conference (A-P-166)）
26.	2021/11/15	First principles calculations and experimental studies of the bandgap of nanocrystalline SiC（TACT2021 International Thin Films Conference (G-P-077)）
27.	2021/09/11	2元同時スパッタリング法によるMg₂Si_1-xSn_x薄膜の形成（第82回応用物理学会秋季学術講演会(11a-N304-6)）
28.	2021/08/21	Mg₂Si_1-xSn_x薄膜の構造と電気特性に及ぼす熱処理方法の影響（第１９回シリサイド系半導体・夏の学校（P-32, p. 61)）
29.	2021/08/21	Mn 添加a-Si/β-FeSi₂複合薄膜の正孔密度のアニール温度依存性（第１９回シリサイド系半導体・夏の学校（P-33, p. 62)）
30.	2021/08/21	共スパッタリング法により作製したSiC 添加SiO_x薄膜における可視発光および光吸収スペクトルの熱処理温度依存性（第１９回シリサイド系半導体・夏の学校（P-34, p. 63)）
31.	2021/08/21	窒化シリコン膜の膜質に及ぼすSi添加および熱処理雰囲気の影響（第１９回シリサイド系半導体・夏の学校（P-31, p. 60)）
32.	2021/08/21	第一原理計算によるナノ結晶SiCの結晶構造予測（第１９回シリサイド系半導体・夏の学校（P-34, p. 63)）
33.	2020/11/24	Evaluation of Insulating Magnetic Materials Composed of Epoxy Resin and Pure Iron Powder for Motor and Reactor Core Applications（The 23rd International Conference on Electrical Machines and Systems (ICEMS2020-Hamamatsu)）
34.	2019/12/11	同時スパッタリング法によるMg₂SiSn系薄膜の形成と電気伝導特性（NIMS ナノシミュレーションワークショップ 2019）
35.	2019/09/21	Mg₂Si_1-xSn_x薄膜の結晶構造及び電気特性の熱処理条件依存性（第80回応用物理学会秋季学術講演会（21a-PA3-3））
36.	2019/09/21	Si/β-FeSi₂複合薄膜の熱処理温度が交流伝導率の周波数特性に及ぼす影響（第80回応用物理学会秋季学術講演会（21a-PA3-2））
37.	2019/09/19	Si，Eu共添加AlN薄膜の励起発光スペクトル（第80回応用物理学会秋季学術講演会（19a-PB3-7））
38.	2019/09/18	純鉄粉含有エポキシ樹脂の絶縁性と透磁率の評価（第80回応用物理学会秋季学術講演会（18p-PB2-3））
39.	2019/09/15	非晶質・ナノ結晶SiC含有シリコン酸化膜の光学特性のSi，C添加量及び熱処理温度依存性（第80回応用物理学会秋季学術講演会（19a-PB3-9））
40.	2019/09/04	Photoluminescence and photoluminescence excitation spectra of Eu and Si co-doped AlN films for visible light emitting devices（8th International Workshop on Photoluminescence in Rare Earths: Photonic Materials and Devices (PRE19) (P30)）
41.	2019/07/23	Formation of Mg₂Si_1-xSn_x Thin Films by Co-sputtering and Their p-Type Electrical Conduction（5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides (APAC SILICIDE 2019) (Tue-a-O29)）
42.	2019/07/20	Optical Properties of Amorphous and Nanocrystalline SiC Embedded in Silicon Oxide Films Prepared by Co-sputtering（5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides (APAC SILICIDE 2019) (P25)）
43.	2019/07/20	Structural, Optical and AC Conductivity Studies on Amorphous-Si/β-FeSi₂ Composite Thin Films（5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides (APAC SILICIDES 2019) (P10)）
44.	2019/03/11	アモルファスSi/β-FeSi₂複合薄膜の電気伝導機構（第66回応用物理学会春季学術講演会（11p-W834-16））
45.	2019/03/11	シリコン酸化膜中の非晶質・ナノ結晶SiCの形成と光物性評価（第66回応用物理学会春季学術講演会（11p-S223-15））
46.	2018/11/12	Enhancement and stabilization of blue photoluminescence from Eu and Si codoped AlN films formed by reactive co-sputtering（International Workshop on Nitride Semiconductors (MoP-CR-11) 2018）
47.	2018/09/20	スパッタリング法によるEu,Si共添加AlN薄膜の形成における共添加材料の検討（第79回応用物理学会秋季学術講演会（20p-235-10））
48.	2018/09/19	共スパッタリング法により形成したMgSiSn薄膜の電気特性（第79回応用物理学会秋季学術講演会（19a-436-6））
49.	2018/07/22	薄膜の物性評価の基礎と最近のトピックス（第18回シリサイド系半導体夏の学校）
50.	2018/07/21	a-Si/β-FeSi₂複合薄膜の形成と半導体全固体二次電池への応用（第18回シリサイド系半導体夏の学校）
51.	2018/07/21	Si系ナノ結晶の形成における熱処理条件およびカーボン添加が光学特性に及ぼす影響（第18回シリサイド系半導体夏の学校）
52.	2018/07/21	共スパッタリング法によるMgSiSn薄膜の形成と物性評価（第18回シリサイド系半導体夏の学校）
53.	2017/10/17	Blue and red photoluminescence from Eu and Si codoped AlN films formed by reactive co-sputtering（TACT2017 International Thin Films Conference (C-P-0171)）
54.	2017/10/17	Prediction of nanocrystalline-Si size in SiO₂ matrix based on LSW theory（TACT2017 International Thin Films Conference (C-P-0147)）
55.	2017/09/08	共スパッタリング法によるMg₂Si_1-xSn_x薄膜の形成（第78回応用物理学会秋季学術講演会（7p-PB4-7））
56.	2017/08/10	Crystal Growth of Mg₂Si for Thermoelectric Applications by the Liquid Encapsulated Vertical Gradient Freezing Method（EMN 3CG & Metallic Glasses Meeting (pp.35-36)）
57.	2017/07/29	VGF法によるMg₂Si結晶成長における原料形態および液体封止材の充填量の影響（第17回シリサイド系半導体夏の学校（p.53））
58.	2017/07/29	共スパッタ法によるアモルファスSi/β-FeSi₂複合薄膜の形成および物性評価（第17回シリサイド系半導体夏の学校（p.45））
59.	2017/03/15	LSW理論に基づくSiO₂薄膜中のナノ結晶Siの粒径予測（第64回応用物理学会春季学術講演会（15a-411-5））
60.	2016/09/15	Mg₂Si薄膜の固相成長におけるAg添加の影響と二段階熱処理の効果（第77回応用物理学会秋季学術講演会(15a-B3-9)）
61.	2016/09/06	Bulk Single Crystal Growth of Mg₂Si by the Liquid Encapsulated Vertical Gradient Freezing Method（Energy, Materials and Nanotechnology, the Collaborative Conference on Crystal Growth (EMN-3CG)）
62.	2016/08/09	Formation of Eu,Si codoped AlN thin films on Si substrate by reactive co-sputtering for heterojunction visible light emitting diode（The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) (TuP-T09-8)）
63.	2016/08/09	Si-based visible luminescent material grown on Si substrates by chemical reaction with Si powder（The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) (Tu1-G03-7)）
64.	2016/08/09	Vertical Gradient Freeze Growth of Mg₂Si crystals using Liquid Encapsulated Liquinert Process（The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) (TuP-G06-35)）
65.	2016/03/21	VGF法によるMg₂Si結晶成長における原料の形状・純度と封止剤のハロゲン処理の影響（第63回応用物理学会春季学術講演会（21p-S223-15））
66.	2015/11/17	Fabrication and optical characterization of p-ZnO:Cu,N/n-SiC heterojunctions（International Thin Films Conference (TACT2015)）
67.	2015/11/17	Formation of amorphous Si/β-FeSi₂ composite thin films by co-sputtering（International Thin Films Conference (TACT2015)）
68.	2015/11/17	Optical and structural properties of Si_xC_1-x alloy thin films prepared by RF magnetron sputtering（International Thin Films Conference (TACT2015)）
69.	2015/11/17	Visible and 1.5μm luminescence from SiO₂ thin films codoped with nc-Si and Er（International Thin Films Conference (TACT2015)）
70.	2015/09/14	AlN:Eu薄膜の光物性評価と発光デバイスの作製（第76回応用物理学会秋季学術講演会(14a-2B-5)）
71.	2015/06/17	Photoluminescence and Electroluminescence from SiO₂ Thin Films（The 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2015)）
72.	2015/03/13	共スパッタリング法によるアモルファスSi/β-FeSi₂複合薄膜の形成（第62回応用物理学会春季学術講演会（13a-A25-9））
73.	2015/03/13	液体封止VGF法によるMg₂Siバルク結晶成長（第62回応用物理学会春季学術講演会（13a-A25-4））
74.	2015/03/12	RFマグネトロンスパッタリング法により作製したSi_xC_1-x混晶薄膜の光学的・構造的特性（第62回応用物理学会春季学術講演会（12p-P17-6））
75.	2014/11/13	Formation of ZnGaON Films Prepared by Two Types of co-Sputtering using ZnO or Zn Target and their Optical Properties（AVS (American Vacuum Society) 61st International Symposium and Exhibition (AVS-61), Baltimore, USA (TF-ThP9)）
76.	2014/11/11	Formation of AlN Thin Films by Direct Nitridation of Aluminum Thin Films and Their Visible Photoluminescence Property（AVS (American Vacuum Society) 61st International Symposium and Exhibition (AVS-61), Baltimore, USA (EM-TuP7)）
77.	2014/11/11	Solid Phase Growth of Mg₂Si Thin Films on Poly-Si/Glass Substrates Prepared by Aluminum Induced Crystallization（AVS (American Vacuum Society) 61st International Symposium and Exhibition (AVS-61), Baltimore, USA (EM-TuP9)）
78.	2014/09/20	Mg₂Si薄膜の固相成長中の熱処理雰囲気が膜質に与える影響（第75回応用物理学会秋季学術講演会（20a-A27-4））
79.	2014/09/19	p-ZnO:Cu,N/n-SiCヘテロ接合デバイスの作製と光物性評価（第75回応用物理学会秋季学術講演会（19p-A26-8 ））
80.	2014/09/19	ボールミルにおける溶媒条件がβ-FeSi₂のプラズマ焼結に与える影響（第75回応用物理学会秋季学術講演会（19p-A27-17））
81.	2014/09/19	反応性RFスパッタ法によるZn₃N₂薄膜の形成におけるGa₂O₃添加の影響（第75回応用物理学会秋季学術講演会（19p-A26-19））
82.	2014/09/18	NH₃およびN₂を用いたAl薄膜の直接窒化によるAlN薄膜の形成（第75回応用物理学会秋季学術講演会（18a-A24-1））
83.	2014/07/20	Processing of fine β-FeSi₂ powders and formation of β-FeSi₂ by electric discharge plasma activated sintering（ICSS-Silicide 2014 (International conference and summer school on advanced silicide technology 2014), Tokyo, Japan (20-P20)）
84.	2014/07/20	Solid phase growth of Mg₂Si thin films on Si(111) and their optical, structural and electrical properties（ICSS-Silicide 2014 (International conference and summer school on advanced silicide technology 2014), Tokyo, Japan (20-AM-II-5)）
85.	2014/07/20	Synthesis and crystallization of Mg₂Si by the liquid encapsulated vertical gradient freezing method,（ICSS-Silicide 2014 (International conference and summer school on advanced silicide technology 2014), Tokyo, Japan (20-P11)）
86.	2014/07/08	Processing of fine β-FeSi₂ powders and formation of β-FeSi₂ by electric discharge plasma activated sintering（International Conference on Thermoelectrics, Tennessee, USA (PA5-015)）
87.	2014/07/08	Solid phase growth of Mg₂Si thin films on Si(111) and their electrical, structural and optical properties（International Conference on Thermoelectrics, Tennessee, USA (PA2-039)）
88.	2014/07/08	Sticking-free synthesis of Mg₂Si by vertical gradient freezing method using liquid encapsulants（International Conference on Thermoelectrics, Tennessee, USA (PA2-036)）
89.	2014/03/19	AIC多結晶Si基板上へのMg₂Si薄膜の固相成長（第61回応用物理学会春季学術講演会）
90.	2013/11/26	HFCVD法を用いた炭素系薄膜の形成と光学的評価（2013年真空・表面科学合同講演会（第33回表面科学学術講演会・第54回真空に関する連合講演会），筑波）
91.	2013/09/18	GaおよびN添加ZnO薄膜の電気伝導特性（2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会）
92.	2013/09/18	NH₃ガスを用いたAl薄膜の直接窒化によるAlN薄膜の形成（2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会）
93.	2013/09/18	反応性スパッタ法により形成したAlN:Eu,Si薄膜のPL 発光特性（2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会）
94.	2013/09/16	RF スパッタ法によるZnO 系薄膜の形成におけるGaN 添加とその後のNH₃ 窒化処理の影響（2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会）
95.	2013/09/16	ナノ結晶Si を添加したSiO_x薄膜の光学特性と電気特性（2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会）
96.	2013/08/23	Optical and Electrical Properties of Nanocrystalline Si Doped SiO_x Thin Films Formed by Co-Sputtering（The 25th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS25), Toronto, Canada）
97.	2013/08/20	Photoluminescence Properties of Er and Nanocrystalline-Si in SiO₂ Films and Aqueous Solutions（The 25th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS25)), Toronto, Canada）
98.	2013/07/27	Processing of nanoscale Fe-Si composite powders and formation of β-FeSi₂ by electric discharge plasma activated sintering（Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2013), Tsukuba, Japan）
99.	2013/07/27	Solid phase growth of Mg₂Si thin films on Si(100) and their optical, structural and electrical properties（Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2013), Tsukuba, Japan）
100.	2013/07/27	Synthesis of Mg₂Si bulk crystal by vertical gradient freezing method using KCl as liquid encapsulant（Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2013), Tsukuba, Japan）
101.	2012/11/26	Effects of Ga doping and nitridation on ZnO films prepared by RF Sputtering（2012 Materials Research Society, Fall Meeting）
102.	2012/11/26	Optical band-gap of TiO₂nanopowders doped with Al₂O₃（2012 Materials Research Society, Fall Meeting）
103.	2012/11/02	Photoluminescence and electronic properties of nanocrystalline Si doped SiO₂ thin films formed by co-sputtering（25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference）
104.	2012/10/16	Photoluminescence and Structural Properties of AlN:Eu,Si Prepared by RF magnetron Co-sputtering Using Multiple Target Materials（The 7th International Workshop on Nitride Semiconductors, Sapporo, Japan.）
105.	2012/10/09	The effect of charged particle irradiation on the formation of carbon thin films by DC-biased hot wire chemical vapor deposition（7th International Conference on HWCVD）
106.	2012/09/14	RFスパッタ法によるZnO薄膜の作製におけるGa添加とその後の窒化処理の影響（2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会）
107.	2012/09/13	ナノ結晶Siを添加したSiO₂薄膜のPL発光および電気的特性評価（2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会）
108.	2012/09/13	複合ターゲットを用いて反応性スパッタ法により作製したAlN:Eu,Si薄膜の発光、構造的特性の評価（2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会）
109.	2012/09/12	Al₂O₃を添加したTiO₂微粉末の光学バンドギャップ（2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会）
110.	2012/07/29	FeSi 系粉末の微細化とプラズマ高速焼結法によるβ-FeSi₂ バルクの形成（第14回シリサイド系半導体と関連物質研究会夏の学校）
111.	2012/07/29	Si(100)基板上に固層成長したMg2Si 薄膜の光学的・電気的特性（第14回シリサイド系半導体と関連物質研究会夏の学校）
112.	2012/03/17	Erおよびナノ結晶シリコンを添加したSiO₂薄膜の発光特性（2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会）
113.	2012/03/16	Si(100)基板上へのMg₂Si薄膜の固相成長と諸特性（2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会）
114.	2011/12/12	Deposition of TaN Films by RF sputtering and their barrier properties in Cu/TaN/Dielectrics/Si MIS structures（6th International Symposium on Surface Science (ISSS-6)）
115.	2011/09/21	The Luminescence Property of SiO₂ Thin Films Doped with Rare Earth and Nanocrystalline Si（International Union of Materials Research Societies and International Conference in Asia (IUMRS-ICA2011)）
116.	2011/09/20	Growth of Si_0.5Ge_0.5 single crystals by the traveling liquidus-zone method and their structural characterizations（International Union of Materials Research Societies and International Conference in Asia (IUMRS-ICA2011)）
117.	2011/09/01	AIC法を用いたß-FeSi₂の作製及びその構造的、電気的特性評価（2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会）
118.	2011/09/01	TaN薄膜の電気抵抗値に及ぼすフラッシュランプ熱処理の影響（2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会）
119.	2011/09/01	TLZ法によるSi_0.5Ge_0.5単結晶作製とその結晶性の評価（Ⅱ）（2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会）
120.	2011/08/26	Structural and electrical properties of β-FeSi₂ bulk materials for thermoelectric applications（Asian School-Conference on Physics and technology of nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT)）
121.	2011/08/25	Structural and electrical properties of β-FeSi₂ thin films prepared by RF magnetron sputtering（Asian School-Conference on Physics and technology of nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT)）
122.	2011/08/23	Development of microwave absorbing materials prepared from a polymer binder including Japanese lacquer and epoxy resin（Asian School-Conference on Physics and technology of nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT)）
123.	2011/03/28	鉄シリサイド研究への取り組み（第17回シリサイド系半導体研究会）
124.	2011/03/27	漆とエポキシ樹脂をバインダとした電波吸収材料の作成（2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会）
125.	2011/03/25	β-FeSi₂熱電変換材料の作製（2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会）
126.	2011/03/24	反応性スパッタリング法で作製したTaN薄膜の熱処理依存性（2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会）
127.	2010/12/18	The crystalline effect of the of the β-FeSi₂ film using two types target prepared by pulsed laser deposition（The International Conference on Electrical and Computer Engineering (ICECE), Dec. 18-20, 2010, Dhaka, Bangladesh.）
128.	2010/09/16	(ZnO)_1-x(GaN)_x:Mn²⁺粉末の作製と光学的評価（2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会）
129.	2010/09/16	ナノクリスタルGe分散溶液の発光特性（2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会）
130.	2010/09/15	漆とエポキシ樹脂をバインダとした電波吸収材料の作製（2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会）
131.	2010/09/14	反応性スパッタリング法で作製した窒化タンタル薄膜の諸性質（2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会）
132.	2007/03	高圧水照射によるSi表面酸化とそのMOS特性（第54回応用物理学関係連合講演会，東京）
133.	2005/09	インピーダンス測定によるAlOXトンネル接合素子の評価（第66回応用物理学関係連合講演会，徳島）
134.	2004/09/15	Thermally Stable Magnetic Tunnel Junctions for High Density MRAM（2004 International Conference on Solid State Devices and Materials,　Tokyo,　Japan）
135.	2004/06	Pb-free bumping for high-performance SoCs（54th Electronic Components and Technology Conference, USA,IEEE）
136.	2001/03	下地絶縁膜の膜質がＡｌ結晶配向性におよぼす影響（第48回応用物理学関係連合講演会，東京）
137.	1999/03	Ion Beam Synthesis法によるβ-FeSi₂/Siの作製とその光物性評価（シンポジウム講演）（第46回応用物理学関係連合講演会，千葉）
138.	1999/03	ガスクラスターイオンビームを用いた新しい薄膜形成技術（シンポジウム講演）（第46回応用物理学関係連合講演会，千葉）
139.	1998/11/04	Optical Thin Film Formation by Gas-cluster Ion Beam Assisted Deposition（15th Int. Conf. on Application of Accelerators in Research and Industry, Denton, Texas, USA）
140.	1998/09	ガスクラスーイオンビーム援用蒸着法による光学薄膜の形成(II)（第59回応用物理学関係連合講演会，広島）
141.	1998/06/22	Formation of oxide thin films by O₂-cluster ion beam assisted deposition（12th International Conference on Ion Implantation Technology, Kyoto, Japan）
142.	1998/06	Fullerene ion (C₆₀⁺) implantation in GaAs(100) substrate（12th International Conference on Ion Implantation Technology, Kyoto, Japan, IEEE）
143.	1998/03	ガスクラスーイオンビーム援用蒸着法による光学薄膜の形成（第45回応用物理学関係連合講演会，東京）
144.	1997/03	Ion beam synthesis and characterization of metastable group-IV alloy semiconductors（The 7th International Symposium on Advanced Nuclear Energy Research, Takasaki, Japan）
145.	1997/03	Two- and three-step annealing effects of metallic and semiconducting iron silicides formed by ion beam synthesis（The 7th International Symposium on Advanced Nuclear Energy Research, Takasaki, Japan）
146.	1996/12	Growth of Ge_1-xC_x alloys on Si by combined low-energy ion beam deposition and molecular beam epitaxy method（Mater. Res. Soc. Symp.）
147.	1996/09	IBS法により作製したβ-FeSi₂/Siからの1.54 mm PL発光と光吸収・Raman散乱特性（第57回応用物理学関係連合講演会，福岡）
148.	1996/05/23	Photoluminescence studies of epitaxial Si_1-xGe_x and Si_1-x-yGe_xC_y layers on Si formed by ion beam synthesis（Joint International Symposium of the '96 MRS-J Conference and the 3rd Ion Engineering Conference, Makuhari, Japan）
149.	1996/03/26	Optical, electrical and structural properties of polycrystalline β-FeSi₂ thin films fabricated by electron beam evaporation of ferrosilicon（The 15th International Conference on Thermoelectrics, Pasadena, USA）
150.	1996/03	Electrical properties of β-FeSi₂ bulk crystal grown by horizontal gradient freeze method（The 15th International Conference on Thermoelectrics, Pasadena, USA, IEEE）
151.	1995/11	Growth of Si_1-xSn_x layers on Si by ion-beam-induced epitaxial crystallization (IBIEC) and solid phase epitaxial growth (SPEG)（Mater. Res. Soc. Symp.）
152.	1995/11	Structural properties of β-FeSi₂ bulk crystal grown by horizontal gradient freeze method（Mater. Res. Soc. Symp.）
153.	1995/08	β-FeSi₂/Siの光学・構造的特性に及ぼす基板面方位の影響（第56回応用物理学関係連合講演会，石川）
154.	1995/04	Fabrication of epitaxial silicides thin films by combining low-energy ion beam deposition and silicon molecular beam epitaxy（Mater. Res. Soc. Symp.）
155.	1995/04	Feイオン注入により作製したβ-FeSi₂/Si の光学的・構造的特性（第42回応用物理学関係連合講演会，神奈川）
156.	1995/04	Ion-beam-induced epitaxy and solid phase epitaxy of SiGeC on Si formed by Ge and C ion implantation and their structural and optical properties（Mater. Res. Soc. Symp.）
157.	1995/02/05	Optical and structural properties of β-FeSi₂ layers on Si fabricated by triple ⁵⁶Fe ion implantations（9th International Conference on Ion Beam Modification of Materials,Canberra, Australia）
158.	1994/12	Optical and structural characterizations of β-FeSi₂ synthesized by Fe ion implantation（第13回法政大学イオンビーム工学シンポジウム，東京）
159.	1994/04	イオン注入による欠陥準位を介したInP:Ybの選択励起発光スペクトル（第41回応用物理学関係連合講演会（講演予稿集 Pt 3, p.1173））
160.	1993/08/09	Optical activity and recrystallization of Yb⁺-MeV ion-implanted InP（International Conference on Luminescence, Connecticut, USA）
161.	1993/04	MeVイオン注入によるInP:Ybの励起・発光スペクトル（第40回応用物理学関係連合講演会（講演予稿集 Pt 3, p.1302））
162.	1993/04	Optical activity of Yb³⁺ in MeV ion-implanted InP（Mater. Res. Soc. Symp.）
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■ 学歴

1.	1988/04～1992/03	明治大学工学部電気工学科卒業
2.	1992/04～1994/03	明治大学大学院工学研究科電気工学専攻修士課程修了修士（工学）
3.	1994/04～1997/03	明治大学大学院理工学研究科電気工学専攻博士課程修了博士（工学）
4.	1997/03/26 (学位取得)	明治大学博士（工学）

■ 職歴

1.	1997/04～2000/03	京都大学工学部付属イオン工学実験施設講師［研究機関研究員］
2.	2000/04～2010/03	株式会社東芝生産技術センター　プロセス研究センター

■ 学内役職・委員

2017/04/01～2019/03/31

明治大学学生相談員

■ 教育上の業績

●作成した教科書、教材、参考書
1.	2020/09/24	電気電子生命実験3　テーマ3　受発光デバイス　オンライン授業用資料
2.	2020/04/16～	基礎電気数学　オンライン授業用資料
3.	2020/04/13～	電子デバイス　オンライン授業用資料
4.	2017/04/01～	電気電子生命実験3　テーマ2　太陽光発電　テキスト
5.	2017/04/01～	電気電子生命実験3　テーマ3　受発光デバイス　テキスト
●その他教育活動上特記すべき事項
1.	2019/03/27～2019/03/27	明治大学付属中学校連携講座　「太陽電池・ＬＥＤの使い方」　講師
2.	2014/12/13～2014/12/13	神奈川県立生田高校　生田地区高大連携プログラム　講師
3.	2012/08/09～2012/08/09	夏休み科学教室　「太陽電池で動くラジオ」　講師
4.	2011/09/28～2011/09/28	明治大学付属明治高校　高大連携講座　講師
5.	2011/08/18～2011/08/18	夏休み科学教室　「太陽電池で動くラジオ」　講師
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■ 主要学科目

電気磁気学，電子デバイス

■ 所属学会

1.	2018/04～2024/03	電気学会
2.	2015/11～	日本熱電学会
3.	2013/05～	電子情報通信学会（エレクトロニクスソサイエティ）
4.	2013/01～2022/03	蛍光体同学会
5.	2011/01～	Materials Research Society
6.	1992/07～	応用物理学会
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■ 職務上の実績

●実務の経験を有する者についての特記事項
1.	2008/08/04～2008/09/12	大学からのインターシップ実習生の指導（半導体/電極界面の評価）
2.	2002/05/13～2002/07/05	企業での教育講座のテキスト作成（半導体デバイス）および講師としての講義
3.	2001/04/01～2010/03/31	企業における光・電子デバイスの研究開発およびそれらの生産性向上に関する取り組み

■ 資格・免許

2009/05

特定高圧ガス取扱主任者(特殊高圧ガス)

■ 研究課題・受託研究・科研費

1.	2024/04～2025/03	半導体固体電池に関する研究その他の補助金・助成金
2.	2023/04～2024/03	炭化ケイ素量子ドットあるいはグラフェン量子ドットを添加したシリコン酸化膜の基礎物性評価と可視発光素子への応用その他の補助金・助成金
3.	2022/04～2023/03	炭化ケイ素量子ドットの基礎物性と可視発光素子への応用その他の補助金・助成金
4.	2020/11～2022/03	ナノ結晶半導体微粒子に電荷を蓄積するｐ－ｉ－ｎ（ｐ型半導体-絶縁体-ｎ型半導体）型半導体固体電池の動作原理の解明と電池容量の向上競争的資金等の外部資金による研究
5.	2020/10～2021/03	シリコン系半導体を用いた半導体固体電池の開発に関する研究企業からの受託研究
6.	2019/04～2020/03	シリコン系半導体を用いた半導体固体電池の開発に関する研究企業からの受託研究
7.	2018/04～2019/03	シリコン系半導体を用いた半導体固体電池の開発に関する研究企業からの受託研究
8.	2017/04～2018/03	シリサイド半導体を用いた半導体固体電池の開発に関する研究企業からの受託研究
9.	2016/10～2017/03	MgSi系熱電材料のドーピング技術の研究企業からの受託研究
10.	2016/04～2017/03	シリサイド薄膜の研究指定寄付研究費
11.	2015/09～2016/08	MgSi系熱電材料のドーピング技術の研究企業からの受託研究
12.	2015/04～2016/03	シリサイド薄膜の研究指定寄付研究費
13.	2013/04～2014/03	シリサイド薄膜の研究指定寄付研究費
14.	2013/04～2018/03	農工商連携モデルを基盤とした都市地域における完全人工型植物工場研究拠点の形成競争的資金等の外部資金による研究
15.	2012/04～2013/03	植物工場プロジェクト研究機関内共同研究
16.	2011/04～2012/03	半導体材料とそのデバイス応用指定寄付研究費
17.	2011/04～2012/03	植物工場プロジェクト研究機関内共同研究
18.	2010/04～2011/03	排熱を利用した熱電変換システムに用いる半導体熱電変換素子の開発に関する基礎研究企業からの受託研究
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■ ホームページ

オプトバイオエレクトロニクス研究室

■ 受賞学術賞

1.	2023/11	Poster Award of Excellence, International Thin Films Conference (TACT2023), GIS TAIPE TECH Convention Center
2.	2015/11	Poster Award of Merit, International Thin Films Conference (TACT2015), National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan
3.	2011/08	Best Poster Report Award, Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT), Vladivostok, Russia
4.	2000/11	R.F.Bunshah Award for the Best Paper at 27th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films, American Vacuum Society.

■ 現在の専門分野

電子・電気材料工学（Electronic materials/Electric materials）　（キーワード：シリサイド半導体，ナノ結晶，ワイドバンドギャップ半導体）

■ 取得特許

1.		有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法（特開2003-347063）
2.	2011/01/28	有機半導体装置およびその製造方法（特許4672319）
3.		酸化膜形成方法（特開2006-93445）
4.		Method of manufacturing oxide film and method of manufacturing semiconductor device（US 2006/0068605 A1）
5.		電子デバイスの評価方法および電子デバイス（特開2007-73907）
6.	2011/05/20	半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び半導体装置（特許4745273）
7.	2010/01/13	METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE（KR1009379110000(大韓民国)）
8.	2010/11/16	Method of manufacturing semiconductor device, apparatus of manufacturing semiconductor device and semiconductor device（US7833911）
9.		半導体装置の製造方法（特開2008-244144）
10.		マスク、マスクの作製方法および半導体装置の製造方法（特開2010-224296）
11.		窒化物半導体発光素子の製造方法（特開2012-064811）
12.		METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT（US 2012/0070966 A1）
13.	2021/11/05	半導体固体電池（特許6977929）
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