教員データベース - 三浦　登

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（最終更新日：2025-07-05 17:28:17）

  ミウラ　ノボル   Miura Noboru
  三浦　登
   所属   明治大学理工学部

職種専任准教授

■ 著書・論文

1.	2020/12	論文	エレクトロルミネッセンス用蛍光体　－動作機構との関連性ーセラミックス 55(12),855-858頁（単著）
2.	2019/03	論文	Initial alignment control technique using on-chip groove arrays for liquid crystal hybrid sillicon optical phase shifters OPTICAL EXPRESS 27(6),pp.8756-8767 （共著）
3.	2019	論文	Effects of amorphous Si on DC electroluminescenct devices Japanese Journal of Applied Physics 58,pp.SFBB03-1-SFBB03-5 （共著）
4.	2019	論文	Electroluminescence from impact excitation and carrier injection process in single device Japanese Journal of Applied Physics 58,pp.SFBB02-1-SFBB02-5 （共著）
5.	2017/01	論文	植物工場用光源におけるLEDの優位性光学 46(12),9-13頁（単著）
6.	2016/11	論文	In-plane switching mode-based liquid crystal hybrid Si wired Mach-Zehnder optical switch Japanese Journal of Applied Physics 55(11),pp.118003-1-118003-3 （共著）
7.	2016/03	論文	Vertically Curved Si Waveguide Coupler with Low Loss and Flat Wavelength Window Journal of Lightwave Technology 34(7),pp.1567-1571 （共著）
8.	2015/10	論文	Vertical silicon waveguide coupler bent by ion implatation OPTICAL EXPRESS 23(23),pp.29449 （共著）
9.	2013/04	著書	植物工場生産システムと流通技術の最前線 51-58頁（共著）
10.	2012/03	論文	Nonlinear Electrical Properties of Thin Films of a Light-Emitting Perovskite-Type Oxide Pr_0.002(Ca_0.6Sr_0.4)_0.997TiO₃ Procedia Engineering 36,pp.388-395 （共著）
11.	2011/04	論文	Highly transparent and flexible field emission devices based on single-walled carbon nanotube films Chemical Communications 47(17),pp.4980-4982 （共著）
12.	2011/01	著書	レアメタル便覧 379-391頁（共著）
13.	2010/06	論文	Perceptibility of enviromental sounds by earphone wearers listening to pop and rock music Acoust. Sci. & Tech. 31(6),pp.387-393 （共著）
14.	2010/01	論文	Effects of Fluoride Dopants in the Starting Materials for BaAl2S4:Eu Thin-Film Phosphors Japanese Journal of Applied Physics 49(1),pp.012401-1-012401-5 （共著）
15.	2009/07	論文	無機ＥＬディスプレイ未来材料 9(7),36-41頁（単著）
16.	2009/04	論文	WO3-Bi2O3混合薄膜の作製と評価 Journal of Vacuum Society of Japan 52(3),49-52頁（共著）
17.	2009/04	論文	白金パラジウム酸化物薄膜の電気特性と光学特性の関係 Journal of Vacuum Science of Japan 52(3),53-56頁（共著）
18.	2009	論文	Low-Driving-Voltage Electroluminescence in Perovskite Films Advanced Materials 21(36),pp.3699-3702 （共著）
19.	2008/09	論文	Electrochromism and Electronic Structure of Nitrogen Doped Tungsten Oxide Thin Films Prepared by RF Reactive Sputtering Japanese Journal of Applied Physics 47(9),pp.7230-7235 （共著）
20.	2008/05	著書	FPDの比較と製造プロセス 379-391頁（共著）
21.	2008/05	著書	FPDの比較と製造プロセス 379-391頁（共著）
22.	2008/05	著書	希土類の材料技術ハンドブック 54-60頁（共著）
23.	2008/04	論文	無機ＥＬディスプレイの最新技術動向電子材料5月号別冊　電子ディスプレイ技術2008・工業調査会 43-48頁（単著）
24.	2008/03	著書	ラボレベル・研究開発初期で必要となる発光素子、発光デバイス開発のための基礎技術・装置・測定・評価法 101-121頁（共著）
25.	2008/03	著書	発光と受光の物理と応用 "75-88, 357-366"頁（共著）
26.	2008/03	著書	薄膜ハンドブック（第２版） 772-777頁（共著）
27.	2008/03	論文	Nドープ酸化タングステン薄膜の作製と評価 J.Vac.Soc.Jpn 51(3),77-79頁（共著）
28.	2008/01	著書	FPD･DSSC･光メモリーと機能性色素の最新技術と材料開発 470-483頁（共著）
29.	2007/05	論文	Flux Effects on BaAl2S4:Eu,F Blue Phosphors Society for Information Display・SID 2007 International Symposium Digest of Technical Papers XXXVIII,pp.523-525 （共著）
30.	2007/03	著書	無機ＥＬ開発動向 1-32頁（共著）
31.	2007/03	論文	無機ＥＬ用材料の動向株式会社ティー・アイシィー・マテリアルインテグレーション 20(3),7-12頁（単著）
32.	2007/03	論文	無機ＥＬ用蛍光体の多元化による発光制御応用物理 76(3),252-257頁（単著）
33.	2007/03	論文	白金酸化物薄膜の光学的特性と電子状態明治大学科学技術研究所紀要４５(３),27-32頁（共著）
34.	2007/01	著書	PHOSPHOR HANDBOOK Second Edition pp.687-720 （共著）
35.	2006/12	論文	Optical Properties of Blue-Emitting BaAl2S4:Eu Thin-Films for Inorganic EL Display Jornal of Rare Earths 24,pp.119-121 （共著）
36.	2006/10	著書	図解電子ディスプレイのすべて 268-272頁
37.	2006/07	論文	Capacitance Temperature Sensor Using Ferroelectric (Sr0.95Ca0.05)TiO3 Perovskite Taylor&Francis・Ferroelectrics 331,pp.141-145 （共著）
38.	2006/07	論文	Effects of Vacancies on the Dielectric and Piezoelectric Properties of (Na0.5K0.5)NbO3-SrTiO3 Solid Solution Taylor & Francis・Ferroelectrics 331,pp.135-139 （共著）
39.	2006/06	論文	Brightness Technology Clarifies Future Inorganic EL Displays Dempa Publication 53(6),pp.23-26 （単著）
40.	2006/04	論文	無機ＥＬディスプレイの最新技術動向工業調査会・「電子材料」5月号別冊　電子ディスプレイ技術2006 36-42頁（単著）
41.	2006/03	論文	反応性スパッタリング法により作製されたパラジウム酸化物薄膜の光学的特性明治大学理工学部研究報告 (90(34)),13-17頁（共著）
42.	2006/01	論文	窒素添加タングステン酸化物薄膜の光学的特性明治大学科学技術研究所紀要 44(2),9-15頁（共著）
43.	2005/10	著書	ナノマテリアル工学大系　第1巻ニューセラミックス･ガラス 789-792頁
44.	2005/09	論文	究極のFPD　－無機ELディスプレイー SEAJ Jopurnal (98),38-42頁（単著）
45.	2005/09	論文	高輝度無機EL素子の開発動向株式会社　テクノタイムズ・月刊ディスプレイ 11(9),50-55頁（単著）
46.	2005/08	論文	無機ELディスプレイ社団法人電子情報通信学会・電子情報通信学会誌 88(8),653-658頁（単著）
47.	2005/05	論文	三元硫化物蛍光体の発光制御と薄膜エレクトロルミネッセンス素子への応用応用物理学会・応用物理 74(5),617-621頁（共著）
48.	2005/04	論文	無機ELディスプレイの最新技術動向工業調査会・「電子材料」5月号別冊　電子ディスプレイ技術2005 41-46頁（単著）
49.	2005/02	論文	Preparation and Optical Properties of Zirconium-Titanium-Oxide Thin Films by Reactive Sputtering The Institute of Pure and Applied Physics・Japanease Journal of Applied Physics 44(2),pp.1013-1018 （共著）
50.	2005/01	著書	高効率希土類蛍光体とその応用 149-158頁
51.	2005/01	論文	フラットパネルディスプレイの新展開日本真空工業会・真空ジャーナル (98),15-17頁（単著）
52.	2004/12	論文	会議速報　「第12回ELワークショップ報告」
53.	2004/11	論文	エレクトロルミネッセンス無機マテリアル学会 11(313) （単著）
54.	2004/09	論文	Annealing Study for Color EL Devices Conference Proceedings of 12th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2004 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting pp.77-79 （単著）
55.	2004/05	論文	Color Phosphors for Inorganic Electroluminescent Devices Society for Information Display 2004 International Symposium Digest of Technical Papers XXXV,pp.1142-1145 （単著）
56.	2004	論文	Electrical properties of β-FeSi2/Si Hetero-Diode Improved by Pulsed Laser Annealing Material Research Society・Symposium Proceedings 799,pp.133-138 （共著）
57.	2003/04	著書	有機ＥＬディスプレイの最新技術動向 54-64頁
58.	2003/02	その他	進化する無機ELディスプレイの要素技術ー赤色蛍光体の特性向上
59.	2003/01	論文	New red-emitting CaY2S4:Eu thin-film electroluminescent devices The Institute of Pure and Applied Physics (IPAP)・Japanease Journal of Applied Physics 42(1A/B),pp.L42-43 （共著）
60.	2003	論文	Composition of β-FeSi2 Thin-films Grown by a Pulsed Laser Deposition Method Material Research Society・Symposium Proceedings 744,pp.309-312 （共著）
61.	2002/12	論文	New II-Y2-S4 Phosphors for Electroluminescent Devices Society for Information Display (SID)・Proceedings of The Ninth International Display Workshops (IDW'02) pp.1407-1408 （共著）
62.	2002/12	論文	無機EL赤色蛍光体
63.	2002/10	論文	高輝度青色発光素子の開発動向技術情報協会・マテリアルステージ 2(7),23-29頁（単著）
64.	2002/09	論文	Mn2+ and Eu2+ Doped Barium Zinc Sulfide Phosphors Proceedings of 11th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescece & 2002 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting （共著）
65.	2002/09	論文	Possibility of RGB Emission by Eu2+ ion doped IIa-IIIb2-S4 phosphors for Full Color Inorganic Electroluminescent Displays Proceedings of 11th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescece & 2002 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting （共著）
66.	2002/08	論文	青色発光BaAl2S4:Eu EL素子の高効率化映像情報メディア学会・映像情報メディア学会誌 56(8),1273-1278頁（共著）
67.	2002/07	論文	最近のELディスプレイの研究開発動向と課題日刊工業新聞社・電子技術 44(9),17-20頁（単著）
68.	2002/01	論文	Crystallographic and Iuminescent charcterization of blue-emitting BaAl2S4:Eu electroluminescent thin films Elsevier ・ Journal of Luminescence 96,pp.69-74 （共著）
69.	2002/01	論文	Evaluation of Hafnium-Titanium-Oxide Thin Films Prepared by Reactive Sputtering 日本真空協会・Journal of the Vacuum Society of Japan 45(1),pp.18-25 （共著）
70.	2001/10	論文	BaAl2S4:Eu Phosphor for Full-Color EL Display Society for Information Display (SID)・Proceedings of The 21st International Display Research Conference in conjunction with The 8th International Display Workshop (ASIA DISPLAY / IDW'01) pp.1059-1062 （単著）
71.	2001/10	論文	Preparation of Efficient Blue Emitting BaAl2S4:Eu Thin Films without High Temperature Annealing Society for Information Display (SID)・Proceedings of The 21st International Display Research Conference in conjunction with The 8th International Display Workshop(ASIA DISPLAY / IDW'01) pp.1075-1078 （共著）
72.	2001/10	論文	無機ELディスプレイの最新技術と将来展望工業調査会・国際技術情報誌『M&E』 28(11),152-156頁（単著）
73.	2001/10	その他	無機ELが有機ELを追い抜く!?青色材料改善で実用ステージへ
74.	2001/09	論文	反応性スパッタリング法によるチタン添加酸化ジルコニウム薄膜の作製と評価明治大学理工学部・明治大学理工学部研究報告 25(81),1-9頁（共著）
75.	2001/09	論文	悲願の青色発光－BaAl2S4:Eu青色蛍光体薄膜からの高輝度EL－テクノタイムズ・月刊ディスプレイ 7(9),53-58頁（単著）
76.	2001/09	論文	無機EL素子の現状と動向ティー・アイ・シィー・マテリアルインテグレーション 14(9),41-45頁（単著）
77.	2001/04	論文	Atomic Composition and Structural Properties of Blue Emitting BaAl2S4:Eu Electroluminescent Thin Films 応用物理学欧文誌刊行会・Japanease Journal of Applied Physics 40(4A),pp.2451-2455 （共著）
78.	2000/12	論文	Blue-emitting BaAl2S4:Eu2+ thin film EL devices Proceedings of the 10th international workshop on inorganic and organic electroluminescence (EL'00) pp.465-470 （単著）
79.	2000/12	論文	Composition and luminescent properties of blue-emitting BaAl2S4:Eu electroluminescent thin films Proceedings of the 10th international workshop on inorganic and organic electroluminescence (EL'00) pp.125-128 （共著）
80.	2000/12	論文	Crystallization of thin-film phosphors by new annealing technique Proceedings of the 10th international workshop on inorganic and organic electroluminescence (EL'00) pp.121-124 （共著）
81.	2000/12	論文	Eu2+ doped barium thioaluminate EL devices prepared by two-target pulsed-electron-beam evaporation Society for Information Display(SID)・Journal of the Society for Information Display 8(3),pp.247-251 （共著）
82.	2000/10	論文	Blue-Emitting BaAl2S4:Eu Thin-Film Electroluminescent Devices Prepared by Two Targets Pulse Electron Beam Evaporation The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers　・　IEICE Transactions on Electronics E83-C(10),pp.1618-1621 （共著）
83.	2000/09	論文	無機EL素子の挑戦－高輝度青色発光素子－テクノタイムズ・月刊ディスプレイ 6(9),53-58頁（単著）
84.	2000/08	論文	β-FeSi2 thin-films grown by a pulsed laser ablation method Proceeding of Japan-UK joint workshop on ecologically friendly semiconductors pp.77-79 （共著）
85.	2000/03	論文	RF反応性スパッタリング法によって作製されたハフニウム添加酸化バナジウム薄膜の光学的特性明治大学科学技術研究所・明治大学科学技術研究所紀要 39(8),61-68頁（共著）
86.	2000	論文	β-FeSi2 thin-films-grown by a pulsed laser deposition method Material Research Society・Symposium Proceedings ???,pp.??-?? （共著）
87.	1999/12	論文	Blue Emitting BaAl2S4:Eu TFEL Devices Prepared by Two Targets Pulse Electron Beam Evaporaton Society for Information Display (SID)・Proceedings of the sixth international display workshops(IDW'99) pp.821-824 （共著）
88.	1999/11	論文	High-Luminance Blut-Emitting BaAl2S4:Eu Thin-film Electroluminescent Devices 応用物理学欧文誌刊行会・Jpnease Journal of Applied Physics 38(11B),pp.L1291-L1292 （共著）
89.	1997/03	論文	BaF2:Eu単結晶の励起及び発光スペクトルのEu濃度依存明治大学理工学部・明治大学理工学部研究報告 16(72),23-30頁（共著）
90.	1997	論文	Electroluminescence Spectra for Tb3+ doped ZnrxCdxS thin-films Elsevier　・　Journal of Luminescence 72-74,pp.999-1001 （共著）
91.	1994	論文	Electroluminescenct devices of electron-beam evaporated II-III2VI4 hosts Science Press・Proceedings of 1994 International Workshop on Electroluminescence （共著）
92.	1994	論文	Electroluminescent Spectra of rare-earth-doped ZnS1-x Sex thin films Elsevier ・ Journal of Crystal Growth 138,pp.1046-1050 （共著）
93.	1994	論文	青色EL材料 -種々の母体材料 - サイエンス･コミュニケーションズ･インターナショナル・ディスプレイアンドイメージング 3,195-201頁（共著）
94.	1993/03	論文	ZnS:Er,Yb薄膜EL素子における発光スペクトルの励起パルス幅依存明治大学理工学部・明治大学理工学部研究報告 8(64),9-13頁（共著）
95.	1993/03	論文	希土類イオンをドープしたZnF2,CdF2薄膜のエレクトロルミネッセンス明治大学理工学部・明治大学理工学部研究報告 8(64),15-22頁（共著）
96.	1993/03	論文	青色発光CaF2:Eu薄膜エレクトロルミネッセンス素子明治大学理工学部・明治大学理工学部研究報告 8(64),1-7頁（共著）
97.	1993/01	論文	局在形発光中心を添加した交流薄膜電界発光素子の励起過程明治大学理工学部・明治大学理工学部研究報告 7(63),31-62頁（単著）
98.	1992/03	論文	Y2O2:Eu薄膜のエレクトロルミネッセンス明治大学理工学部・明治大学理工学部研究報告 5(61),37-41頁（共著）
99.	1992/03	論文	ZnS:TbFx薄膜エレクトロルミネッセンス素子の紫外光照射効果明治大学理工学部・明治大学理工学部研究報告 5(61),49-62頁（共著）
100.	1992/03	論文	青色発光ZnS:Tm3+薄膜のエレクトロルミネッセンス明治大学理工学部・明治大学理工学部研究報告 5(61),29-35頁（共著）
101.	1992/02	論文	Band-Gap Energy Dependence of Emission Spectra in Rare Earth-Doped Zn(1-x)CdxS Thin-Film Electroluminescent Devices 応用物理欧文誌刊行会・Japanease Journal of Applied Physics 31(２A),pp.295-300 （共著）
102.	1992/02	論文	Transient Behavior in ZnS:TbFx Thin-Film Electroluminescent Devices Excited by Very Short Pulse 応用物理欧文誌刊行会・Japanease Journal of Applied Physics 31(2A),pp.288-294 （共著）
103.	1992/01	論文	Electroluminescence of ZnF_2 Thin-Films Doped with Rare-Earth Ions 応用物理学欧文誌刊行会・Japanese Journal of Applied Physics 31(1),pp.51-59 （共著）
104.	1992/01	論文	Several Blue-Emitting Thin-Film Electroluminescent Devices 応用物理学欧文誌刊行会・Japanese Journal of Applied Physics 31(1A/B),pp.L46-L48 （共著）
105.	1992	論文	Band-Gap Energy Dependence of Host Materials for Electroluminescent Spectra CINKO PUNTOS PRESS・Electroluminescence pp.404-409 （共著）
106.	1991/10	論文	Strong Ultraviolet-Emitting ZnF2:Gd Thin Film Electroluminescent Device 応用物理欧文誌刊行会・Japanease Journal of Applied Physics 30(10B),pp.L1815-L1816 （共著）
107.	1991/03	論文	ZnS:CeClx薄膜エレクトロルミネッセンス素子における発光の過渡的振舞明治大学理工学部・明治大学理工学部研究報告 3(59),31-36頁（共著）
108.	1991	論文	Transient Characteristics of Emission in ZnS : Mn Thin-Film Electroluminescent Devices Society for Information Display (SID)・Proceedings of the Society for Information Display 32(3),pp.219-222 （共著）
109.	1990/04	論文	ZnS:TbFx薄膜エレクトロルミネッセンス素子における発光の過渡的振舞明治大学理工学部・明治大学理工学部研究報告 2(58),25-32頁（共著）
110.	1990/03	論文	Li+1イオンを共付活したZnS:EuFx薄膜EL素子明治大学理工学部・明治大学理工学部研究報告 1(57),39-44頁（共著）
111.	1990	論文	Transient Behavior of Photoluminescence and Electroluminescence in ZnS Thin Film Deped with Tb3+ion Finnish Academy of TechnologyActa Polytechnica Scandinavica 170,pp.241-244 （共著）
112.	1989/10	論文	Transient characteristics of emission in ZnS:Mn thin film electroluminescent devices Society for Information Display (SID)・Proceedings of the 9th international display research conference (JAPAN Display '89) pp.70-73 （共著）
113.	1989/03	論文	ZnS薄膜エレクトロルミネッセンス素子の発光過渡特性における発光層の熱処理温度依存明治大学科学技術研究所・明治大学科学技術研究所紀要 27(9),69-78頁（共著）
114.	1989/01	論文	エレクトロルミネッセンス素子励起用双極性パルス電源の製作明治大学工学部・明治大学工学部研究報告 56,27-32頁（共著）
115.	1989/01	論文	薄膜エレクトロルミネッセンス素子の発光特性明治大学工学部・明治大学工学部研究報告 56,33-38頁（共著）
116.	1989	論文	Time Resolved Emission Spectra in ZnS Thin Film Electroluminescent Devices Springer-Verlag・Springer Proceedings in Physics 38 Electroluminescence pp.44-47 （共著）
117.	1988/11	論文	Broad Band Emission Behaviors in ZnS Thin Film Electroluminescent Devices 応用物理欧文誌刊行会・Japanease Journal of Applied Physics 27(11),pp.L2103-L2104 （共著）
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■ 学会発表

1.	2023/03/08	Nb:SrTiO₃を用いたキャリヤ密度傾斜薄膜における熱応答および光応答の評価（2023年日本セラミックス協会年会）
2.	2021/11/26	エレクトロルミネッセンス素子の進展と課題（第385回蛍光体同学会講演会）
3.	2021/03/23	ZnO:Al を用いたキャリヤ密度傾斜薄膜における熱応答および光応答の評価（2021年日本セラミックス協会年会）
4.	2020/02/14	Ｐ型半導体を用いた直接衝突励起型直流ＥＬ素子の試作（第379回蛍光体同学会講演会）
5.	2019/10/29	Thermoelectric and photoelectric characteristics of graded films using Nb-doped SrTiO₃（The Pacific Rim Conference of Ceramic Societies 13）
6.	2019/09/20	亜酸化銅を用いた直流 EL 素子からの低電圧発光（第80回応用物理学会秋季学術講演会）
7.	2019/09/20	陽極側に形成したCeO₂が直流 EL の素子特性に及ぼす影響（第80回応用物理学会秋季学術講演会）
8.	2019/03/09	局所配向誘引構造を組み込んだ面内電界駆動液晶装荷シリコン細線 MZ 型光スイッチの作製（第66回応用物理学会春季学術講演会）
9.	2019/02/27	電機がつくる農業（応用科学会　講演会）
10.	2019/01/25	CeO2を用いた薄膜無機EL素子の発光特性（発光型非発光型ディスプレイ合同研究会）
11.	2018/09/12	Characterization of Amorphous Semiconductor Layer in DC-EL Devices（19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2018 International Conference on the Science & Technology of Emissive Display and Lighting (EL2018)）
12.	2018/09/12	DC-EL devices with NPN structure（19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2018 International Conference on the Science & Technology of Emissive Display and Lighting (EL2018)）
13.	2018/09/12	Electroluminescence from impact excitation and carrier injection process in a same devices（19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2018 International Conference on the Science & Technology of Emissive Display and Lighting (EL2018)）
14.	2018/09/12	Electroluminescent Devices Having the MgO Layer（19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2018 International Conference on the Science & Technology of Emissive Display and Lighting (EL2018)）
15.	2018/09/05	高効率発光素子を目指して　－励起機構に基づく材料選択と構造ー（日本セラミックス協会　第31回秋季シンポジウム）
16.	2018/03/20	アモルファスSi層を挿入した電界励起発光素子（第65回応用物理学会春季学術講演会）
17.	2018/03/20	局所配向誘引構造を組み込んだ垂直駆動液晶装荷シリコン細線MZI型光スイッチの試作(I)（第65回応用物理学会春季学術講演会）
18.	2018/03/20	局所配向誘引構造を組み込んだ垂直駆動液晶装荷シリコン細線MZI型光スイッチの試作(II)（第65回応用物理学会春季学術講演会）
19.	2018/03/20	液晶装荷シリコン細線光スイッチの時間応答特性の検討（2018年電子情報通信学会総合大会）
20.	2018/03/15	Nb:SrTiO₃, LaMnO₃ 傾斜化合物薄膜の熱電特性（日本セラミックス協会 2018年年会）
21.	2017/09/06	亜酸化銅を用いた直流駆動無機ＥＬの電気伝導性の検討２（第78回応用物理学会秋季学術講演会）
22.	2017/03/16	キャリヤの再結合発光を伴う直流駆動無機ELの検討（第64回応用物理学会春季学術講演会）
23.	2017/03/16	プローブ層を用いた直流無機EL素子の発光位置の検討（第64回応用物理学会春季学術講演会）
24.	2017/03/15	Nb:SrTiO₃, LaMnO₃ 傾斜接合膜におけるキャリヤの挙動（第64回応用物理学会春季学術講演会）
25.	2017/01/26	亜酸化銅を用いた直流駆動無機ELの検討（電子情報通信学会　電子ディスプレイ研究会　発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会）
26.	2017/01/26	塗布法により作製したZnS:Mn粉末EL素子の特性（電子情報通信学会　電子ディスプレイ研究会　発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会）
27.	2016/03/22	塗布法によるZnS:Mn無機ＥＬ素子の作製（第63回応用物理学会学術講演会）
28.	2016/03/20	亜酸化銅を用いた直流駆動無機ＥＬの電気伝導性の検討（第63回応用物理学会学術講演会）
29.	2016/03/20	片側絶縁直流駆動無機ＥＬにおける発光位置の検討（第63回応用物理学会学術講演会）
30.	2015/12/10	Electroluminescence from DC Biased ZnS:Mn Phosphor Layers Having Cu₂O Semiconductor（The 22th International Display Workshops (IDW'15)）
31.	2015/03/18	分散型EL素子における蛍光体層の黒化をともなう劣化（日本セラミックス協会 2015年年会）
32.	2015/03/13	TFEPDDとポリイミドを用いた周期構造の作製（第62回応用物理学会春季学術講演会）
33.	2015/03/13	液晶を用いたシリコン細線マッハツェンダー光スイッチ（第62回応用物理学会春季学術講演会）
34.	2015/03/12	Ca_0.6Sr_0.4TiO₃:Prを用いた薄膜型および粉末型EL素子における低電圧発光現象２（第62回応用物理学会春季学術講演会）
35.	2015/01/08	ペロブスカイト型酸化物蛍光体ナノ粒子を用いた粉末型㻱㻸素子の発光特性（第53回セラミックス基礎科学討論会）
36.	2014/09/20	Ca_0.6Sr_0.4TiO₃:Prを用いた薄膜型および粉末型EL素子における低電圧発光現象（第75回応用物理学会秋季学術講演会）
37.	2014/09/19	アニール処理によるシリコン立体曲り導波路の伝搬損失改善（第75回応用物理学会秋季学術講演会）
38.	2014/03/19	IPS液晶によるシリコン細線方向性結合器光スイッチ（第61回応用物理学会春季学術講演会）
39.	2014/03/19	PLD法により作製されたCa0.6Sr0.4TiO3:Prを発光層とするEL素子の電気的特性（第61回応用物理学会春季学術講演会）
40.	2014/03/19	立体化シリコン細線導波路と光ファイバの光波結合（第61回応用物理学会春季学術講演会）
41.	2014/03/17	簡易なプロセスにより酸化物蛍光体を発光層に用いたセラミックスEL素子の検討（日本セラミックス協会2014年年会）
42.	2014/01/24	D-Aペア蛍光体薄膜を用いた電流注入型発光素子の検討（発光型非発光型ディスプレイ合同研究会）
43.	2013/12/05	Electroluminescence from DC Biased ZnS:TbF3 Phosphor Layers Having Oxide Semiconductor（The 20th International Display Workshops (IDW'13)）
44.	2013/09/04	ペロブスカイト型酸化物蛍光体ナノ粒子を用いた粉末型EL素子（第26回日本セラミックス協会秋季シンポジウム）
45.	2013/08/28	Vertically-Curved Silicon Waveguide Fabricated by Ion-Induced Bending Method for Vertical Light Coupling（The 10th International Conference on Group IV Photonics）
46.	2013/07/30	ディスプレイ研究の現状と将来像（光電相互変換第125委員会　第221回研究会）
47.	2013/03/29	市販200V級GaN-HEMTとSi-SJMOSFETのスイッチング損失分析（第60回応用物理学会春季学術講演会）
48.	2013/03/29	酸化物半導体薄膜を用いた直流無機薄膜 EL 素子のアニール温度依存性（第60回応用物理学会春季学術講演会）
49.	2013/03/29	量子効率測定による無機EL素子における発光特性の検討（第60回応用物理学会春季学術講演会）
50.	2013/03/28	Epitaxial growth of ferromagnetic semiconductor Ga1-xMnxAs films on Ge(001) substrate（The 60th JSAP Spring Meeting, 2013）
51.	2013/03/17	無機EL素子の内部量子効率に与えるホットエレクトロンの振舞い（2013年　日本セラミックス協会年会）
52.	2012/12/07	Thin film perovskite electroluminescence with ferroelectric BaTiO3 films as insulating layers（The 19th International Display Workshops (IDW2012)）
53.	2012/11/19	市販の200V 級GaN-HEMTとSi-Superjunction MOSFETのスイッチング損失分析（SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会第21 回講演会）
54.	2012/11/08	Electroluminescence of BaSO4:Eu Thin-Film Phosphors（International Symposium on Rare Earths in 2012）
55.	2012/11/08	Luminescence Properties of Perovskite Oxide Thin-Film Phosphors（International Symposium on Rare Earth in 2012）
56.	2012/09/14	酸化物蛍光体微粒子を用いたセラミックス EL 素子（第73回応用物理学会学術講演会）
57.	2012/03/19	キュリー温度シフトによる無機ＥＬ用チタン酸バリウム高誘電率厚膜の作製（日本セラミックス協会　2012年年会）
58.	2012/03/19	局在型発光中心を用いたＥＬ素子用微粒子蛍光体（日本セラミックス協会　2012年年会）
59.	2012/03/17	カーボンナノチューブ含有ポリイミド非線形光導波路とBCB導波路の異種接続ハイブリッド化作製技術の開発（第59回応用物理学関係連合講演会）
60.	2012/03/17	等価回路モデルを用いたGaN-HEMTのスイッチング特性比較（第59回応用物理学関係連合講演会）
61.	2012/03/16	Pr0.002(Ca0.6Sr0.4)0.997TiO3ペロブスカイト蛍光体薄膜の非線形導電現象（第59回応用物理学関係連合講演会）
62.	2011/12/19	Nonlinear Electrical Current Observed for Thin Films based on a Light-Emitting Perovskite-Type Oxide Pr0.002(Ca0.6Sr0.4)0.997TiO3 Directly Sandwiched by Electrodes（The 21st MRS-Japan ACademic Symposium）
63.	2011/09/19	Nonlinear Electrical Properties of Thin Films ofa Light-Emitting Perovskite-Type Oxide Pr0.002(Ca0.6Sr0.4)0.997TiO3（International Union of Materials Research Societies (IUMRS) International Conference Asia）
64.	2011/09/07	チタン酸バリウム厚膜誘電体を用いた分散型無機ＥＬ素子の検討（日本セラミックス協会　第24回秋季シンポジウム）
65.	2011/09/07	ＣａＳｒＴｉＯ３：Ｐr単層膜ＥＬ素子の発光特性（日本セラミックス協会　第24回秋季シンポジウム）
66.	2011/03	GaN 及びSiC ショットキバリアダイオードの理論解析（第58回応用物理学関係連合講演会）
67.	2011/03	溝流し込み法によるシングルモードカーボンナノチューブ含有非線形光導波路の作製（第58回応用物理学関係連合講演会）
68.	2011/02/10	ZnS:Mn粉末蛍光体を用いた分散型EL素子（光電相互変換第125委員会・EL分科会第38回研究会、蛍光体同学会第336回講演会）
69.	2010/09/30	High luminance inorganic EL sheets basd on "peel-off" process（15th International workshop on inorganic and organic electroluminescence）
70.	2010/09/15	SrTiO3: Pr, Al エピタキシャル薄膜 EL 素子の作製（第71回応用物理学会学術講演会）
71.	2010/08/18	セラミックシートを用いた高輝度EL素子（光電相互変換第125委員会　第209回研究会）
72.	2010/03/17	２源パルス電子ビーム蒸着法を用いたBaAL2F5:Eu薄膜EL素子作製（第57回応用物理学関係連合講演会）
73.	2010/01/28	スパッタリング法によるSi添加AlN:Eu薄膜EL素子の作製（電子情報通信学会　電子ディスプレイ研究会）
74.	2010/01/28	直流反応性スパッタリング法を用いたBaAl2S4:EuEL素子の作製（電子情報通信学会　電子ディスプレイ研究会）
75.	2010/01/19	Continual Challenge in The Development of Inorganic Phosphor based EL Devices（International Workshop on Field Emitter and Semiconductor Materials and Devices）
76.	2010/01/12	BaTiO3誘電体シート上の薄膜ＥＬ素子（第48回セラミックス基礎科学討論会）
77.	2009/12/10	Low-Electric-Field-Driving Electroluminescence in ((Ca0.6Sr0.4)0.997Pr0.002)Ti3 and SrTiO3 perovskite Films（The 16th International Display Workshops (IDW' 09)）
78.	2009/11/10	物理計測のための面発光素子（第5回学際領域における分子イメージングフォーラム）
79.	2009/11/05	Continual Challenge in The Development of Electroluminescent Devices（International Symposium for Phosphor Materials 2009 in Niigata (The Phosphor Safari)）
80.	2009/10/09	Improvement of the Phosphor Performance for BaAl2S4:Eu Blue-emitting Thin-films with Fluoride Compounds（The 11th Asian Symposium on Information Display (ASID’09)）
81.	2009/09/10	BaTiO3を絶縁層に用いたペロブスカイト型酸化物(Ca0.6Sr0.4)TiO3:Pr薄膜ＥＬ素子（第７０回応用物理学会学術講演会）
82.	2009/09/10	レーザアブレーション法により作製したβ-FeSi2薄膜の光学的評価（第70回応用物理学会学術講演会）
83.	2009/09/10	厚膜誘電体を用いたBaAl2S4:Eu青色ＥＬ素子の検討（第70回応用物理学会学術講演会）
84.	2009/09/10	直流反応性スパッタリングによるBaAl2S4:Eu薄膜の作成（第70回応用物理学会学術講演会）
85.	2009/09/10	ＥＬ素子用厚膜誘電体シートの作製（第70回応用物理学会学術講演会）
86.	2009/06	ポップ・ロック音楽聴取時のイヤホン使用者の周囲音知覚（電子情報通信学会研究会）
87.	2009/03/31	ペロブスカイト型酸化物(Ca0.6Sr0.4)TiO3:Pr薄膜を用いたEL素子の作製（第56回応用物理学関係連合講演会）
88.	2009/01/29	厚膜誘電体を用いたBaAl2S4:Eu青色EL素子の検討（電子情報通信学会　電子ディスプレイ研究会　発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会）
89.	2008/12/18	硫化亜鉛蛍光体を用いた無機EL（光電相互変換第125委員会EL分科会　第34回研究会）
90.	2008/12/04	High-Luminance from Localized Emission Center Phosphor in Powder-Type EL Device（The 15th International Display Workshops）
91.	2008/11/14	ELディスプレイ・EL照明の可能性（日本電子材料技術協会　第45回秋季講演大会）
92.	2008/10/29	WO3-Bi2O3混合薄膜の作製と評価（第49回真空に関する連合講演会）
93.	2008/10/29	白金パラジウム酸化物薄膜の電気特性と光学特性の評価（第49回真空に関する連合講演会）
94.	2008/09/18	Ti系ペロブスカイト型酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜の作製と透明性（日本セラミックス協会　第21回秋季シンポジウム）
95.	2008/09/18	無機EL素子材料と発光デバイスの特性改善（日本セラミックス協会　第21回秋季シンポジウム）
96.	2008/09/11	New Trial of Inorganic EL Devices（14th International Workshop on Inorganic and Organic Electrolumienescence & 2008 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lightings）
97.	2008/09/09	Fluorine Effects on BaAl2S4:Eu Blue-Emitting Phosphors（14th International Workshop on Inorganic and Organic Electrolumienescence & 2008 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lightings）
98.	2008/09/04	Pr添加Ti系ペロブスカイト型酸化物エピタキシャル薄膜の赤色蛍光特性（II)（第69回応用物理学会学術講演会）
99.	2008/09/02	BaAl2S4:Eu成膜時のZnS添加効果（第69回応用物理学会学術講演会）
100.	2008/09/02	フッ素添加による青色蛍光体BaAl2S4:Euの特性変化（第69回応用物理学会学術講演会）
101.	2008/09/02	有機/無機ハイブリッド構造を有するZnS:Cu,Cl直流キャリヤ注入EL素子（第69回応用物理学会学術講演会）
102.	2008/07/19	BaAl2S4:Eu 青色蛍光体膜におけるフッ素化合物の添加効果（光電相互変換第１２５委員会「本委員会201回・EL分科会第33回」）
103.	2008/07/19	無機ELの新しい試み（光電相互変換第１２５委員会「本委員会201回・EL分科会第33回」）
104.	2008/04/11	無機ＥＬディスプレイの最新動向と展望（有機デバイス研究会第72回研究会）
105.	2008/03	ZnS D-Aペア蛍光体にIII-V族化合物を添加した無機ＥＬ素子の作製(4)
106.	2008/03	スパッタリング法による Si 添加 AlN:Eu薄膜の作製
107.	2008/03	ペロブスカイトSrTiO3:Pr,Alエピタキシャル薄膜の作製と蛍光特性
108.	2008/03	レーザアブレーション法により作製したβ-FeSi2薄膜の表面構造および結晶性評価
109.	2008/03	反応性同時スパッタリングにより作製した白金パラジウム混合酸化物薄膜の光学特性
110.	2008/01	BaAl2S4:Eu薄膜におけるBa2+とEu2+イオンの局所構造解析
111.	2008/01	B添加によるBaAl2S4:Eu青色蛍光体の特性改善
112.	2008/01	GdF3を添加した青色蛍光体BaAl2S4:Euの特性変化
113.	2007/12	Local Structure around Ba2+ and Eu2+ Ions in Blue Luminescent baAl2S4:Eu Thin-Films
114.	2007/11	Nドープ酸化タングステン薄膜の作製と評価
115.	2007/11	無機発光材料の現状と課題
116.	2007/11	複数の材料を添加したZnS系EL用蛍光体
117.	2007/09	BaAl2S4:Eu薄膜作製におけるAlF3添加効果
118.	2007/09	Feアブレーション膜を用いたβ-FeSi2/Siヘテロダイオードの特性評価
119.	2007/09	RFスパッタリング法によるBi2O3-TiO2薄膜の基板温度依存性
120.	2007/09	ZnS D-Aペア蛍光体にⅢ-Ⅴ族化合物を添加した無機EL素子の作製 (3)
121.	2007/09	反応性スパッタリング法により作製したAu添加V2O5薄膜の光学的特性
122.	2007/09	反応性スパッタリング法により作製したMo酸化物薄膜の光学的特性
123.	2007/09	反応性スパッタリング法による白金パラジウム混合酸化物薄膜の作製
124.	2007/09	無機EL用蛍光薄膜BaAl2S4:EuにおけるBa,EuサイトのXAFSによる検討
125.	2007/09	無機EL素子用高輝度ZnS蛍光体の検討
126.	2007/09	青色蛍光体BaAl2S4:EuにおけるGdF3添加効果
127.	2007/09	（Sr, Ca, Ba）TiO３: Pr, Alの組成比における蛍光特性の変化
128.	2007/08	無機ELデバイスの新展開・ディスプレイと照明応用〜蛍光体技術・構造・作製技術〜
129.	2007/07	High Luminance Phosphors for Electroluminescent Devices
130.	2007/05	Flux Effects on BaAl2S3:Eu,F Blue-Phosphors
131.	2007/03	Ternary Compound Phosphors for Electroluminescent Displays
132.	2007/03	ZnS D-Aペア蛍光体にIII-V族化合物を添加した無機ＥＬ素子の作製
133.	2007/03	プラズマ欠陥導入したＣＮＴによる室温動作単一電子トランジスタ
134.	2007/02	分散型・薄膜型ＥＬの現状
135.	2007/01	Ⅲ-Ⅴ族半導体を添加した硫化亜鉛の発光特性
136.	2007/01	電子ビーム蒸着BaAl2S4:Eu薄膜の光学的特性
137.	2007/01	ＦＰＤ(フラットパネルディスプレイ）最新技術と材料開発無機ＥＬディスプレイ
138.	2006/12	無機ＥＬの動向と今後の展望
139.	2006/09	Effects of V2O5 interlayer on ZnS:Mn-ACTFEL Devices
140.	2006/09	Phosphor Studies for Color EL Devices
141.	2006/09	無機ELの動向と今後の展開
142.	2006/08	CuAlS2:Mn赤色ＥＬ用蛍光体薄膜
143.	2006/08	ZnS D-Aペア蛍光体にIII-V族化合物を添加した無機ＥＬ素子の作製
144.	2006/07	無機ELの開発および材料・素子のトレンドと製造技術
145.	2006/05	強誘電体多結晶(Sr1-xCax)TiO3を用いたキャパシタンス温度センサの開発
146.	2006/05	無機ＥＬの新展開　〜動向と今後の展望
147.	2006/04	無機ＥＬ素子の作製方法と最新動向
148.	2006/03	レーザアブレーション法により作製したβ-FeSi2薄膜中の原子の熱拡散
149.	2006/03	反応性スパッタリング法によるV添加Ag酸化物薄膜の光学的特性
150.	2006/03	反応性スパッタリング法による白金酸化物薄膜の光学的特性
151.	2006/03	多元同時反応性スパッタリング法による不純物添加W酸化物薄膜のフォトクロミック特性
152.	2006/03	無機ＥＬの今後の開発の動向
153.	2006/03	無機ＥＬの原理・作製と開発動向
154.	2006/03	無機ＥＬの最新動向
155.	2006/02	無機ＥＬの新展開〜動向と今後の展望
156.	2006/02	無機ＥＬ素子の現状と開発動向
157.	2006/01	Chalcopyrite型蛍光体薄膜の発光特性
158.	2005/12	無機ＥＬ用蛍光体の開発現状・課題と発光制御
159.	2005/11	無機ELのフルカラー化・蛍光体開発の取り組み
160.	2005/10	無機ELの魅力と展望
161.	2005/09	Bi2O3-TiO2スパッタリング薄膜における熱処理効果
162.	2005/09	エレクトロルミネッセンス実用化に向けての三元硫化物蛍光体
163.	2005/09	レーザアブレーション法により作製したβ-FeSi2薄膜の長時間アニーリング効果
164.	2005/09	反応性スパッタリング法により作製した窒素添加W酸化物薄膜の光学的特性と電子状態解析（２）
165.	2005/09	反応性スパッタリング法によるPd酸化物薄膜の光学的特性（２）
166.	2005/09	反応性スパッタリング法によるTa添加Y酸化物薄膜の光学的特性
167.	2005/09	反応性スパッタリング法による酸化銀薄膜の光学的特性
168.	2005/09	紫外発光ZnF2:Gd薄膜EL素子におけるバッファ層の効果
169.	2005/09	青色発光BaAl2S4:Eu蛍光体のX線解析
170.	2005/08	無機ＥＬデバイスの開発動向
171.	2005/06	無機ELにおける応用製品の開発動向と今後の展望
172.	2005/03	Bi2O3-TiO2 スパッタリング薄膜の光学的、電気的特性
173.	2005/03	スパッタリング法によるBaAl2S4:Eu薄膜の作製(1)
174.	2005/03	反応性スパッタリング法により作製した窒素添加W酸化物薄膜の光学的特性と電子状態解析
175.	2005/03	反応性スパッタリング法によるイットリウム酸化物薄膜の電気的、光学的特性
176.	2005/01	レーザアニールを用いた薄膜EL素子の作製
177.	2005/01	多元系硫化物蛍光体を用いた白色発光薄膜EL素子の作製
178.	2005/01	高周波スパッタリング法によるBaAl2S4:Eu薄膜の作製
179.	2004/12	無機EL素子における熱処理技術の新展開
180.	2004/09	Annealing Study for Color EL devices
181.	2004/09	ELデバイスの技術課題と展望
182.	2004/09	不純物添加Cr酸化物薄膜の光学的特性及び電子状態解析
183.	2004/09	反応性スパッタリング法による不純物添加Pd酸化物薄膜の光学的特性
184.	2004/08	薄膜･真空技術が支えるフラットパネルディスプレイ事情
185.	2004/07	SID'04 報告会　－Emissive Display<Inorganic EL, Phosphors>ー
186.	2004/05	Color Phosphors for Inorganic Electroluminescent Devices
187.	2004/04	最新動向をふまえた＜無機・有機＞ＥＬディスプレイの特性比較と将来予測〜特性評価・生産性・寿命予測・各種用途への可能性等〜
188.	2004/03	RFマグネトロンスパッタリング法によるZnGa2S4:Mn薄膜EL素子の作製
189.	2003/12	Electrical Properties of β-FeSi2/Si Hetero-Diode Improved by Pulsed Laser Annealing
190.	2003/10	Photoluminescence from β-FeSi2 Thin Film Grown by a Pulsed Laser Deposition Method.
191.	2003/10	無機ELディスプレイ
192.	2003/09	エキシマレーザを用いたプラスチックフィルム上への無機薄膜EL素子の作製
193.	2003/09	レーザアニールを用いたゾルゲル法による BaTiO 薄膜の作製
194.	2003/09	赤色発光 ZnGa2S4:Mn 薄膜EL素子の作製
195.	2003/09	赤色発光無機EL素子（CCMも含めて）
196.	2003/08	Zr-Mn酸化物薄膜の光学的特性
197.	2003/08	不純物添加W酸化物薄膜の光学的特性及び電子状態解析
198.	2003/08	反応性スパッタリング法によるPd酸化物薄膜の光学的特性
199.	2003/08	反応性スパッタリング法によるZr添加Cr酸化物薄膜の光学的・電気的特性
200.	2003/04	無機エレクトロルミネッセンスとその研究動向
201.	2003/04	ＥＬの最新動向
202.	2003/03	CaAl2S4:Euを用いた高純度緑色EL素子
203.	2003/03	フルドライプロセスによる準粒子トラッピング超伝導トンネル接合X線検出器の作製
204.	2003/03	レーザアニールによるβ-FeSi2薄膜の結晶性改善および電気的特性
205.	2003/03	低温堆積緩衝層を用いたレーザアブレーション法によるβ-FeSi2の成長
206.	2003/03	反応性スパッタリング法によるV添加W酸化物薄膜の光学的特性
207.	2003/03	無機ELディスプレイの開発動向・無機EL材料の開発動向
208.	2003/03	無機エレクトロルミネッセンスとその研究動向
209.	2003/03	無機ＥＬの最新動向
210.	2003/03	超伝導トンネルX線検出素子の信号出力空間分布のX線エネルギー依存
211.	2003/01	A-(Mg,Zn)-S (A=Ca,Sr,Ba) EL用蛍光体の特性
212.	2003/01	EL用 (Zn,Mg)Al2S4:Mn 蛍光体薄膜の作製
213.	2003/01	Eu2+添加CaAl2S4を用いた高純度緑色EL素子の作製
214.	2003/01	次世代平面ディスプレイの展望　－無機EL－
215.	2003/01	無機ＥＬディスプレイの技術開発動向
216.	2002/12	11th EL-workshop と蛍光体国際会議ー無機EL関連＝
217.	2002/12	Composition of β-FeSi2 thin-films grown by a pulsed laser deposition method
218.	2002/12	New II-Y2-S4 phosphors for electroluminescent devices
219.	2002/12	無機EL ディスプレイの開発動向
220.	2002/10	有機EL vs 無機ELディスプレイ
221.	2002/09	Mn2+ and Eu2+ doped barium zinc sulfide phosphors
222.	2002/09	Phosphor Technology for Electroluminescent Display
223.	2002/09	Possibiity of RGB emission by Eu2+ ion doped IIa-IIIb2S4 phosphors for full color inorganic electroluminescent displays
224.	2002/09	スパッタリング法によるNi-Ti酸化物薄膜の光学的特性
225.	2002/09	リフトオフによる超伝導トンネル接合Ｘ線検出器の作製
226.	2002/09	レーザアブレーション法により作製したβ-FeSi2の高温長時間熱処理による結晶性の改善
227.	2002/09	不純物添加Mo酸化物薄膜の電子状態解析
228.	2002/09	反応性スパッタリング法によるW-Nb酸化物薄膜の光学的特性
229.	2002/09	青色発光BaAl2S4:Eu EL素子の水定量分析
230.	2002/07	BaZnS 赤色発光EL素子
231.	2002/07	フルカラーELディスプレイ用 Eu2+ イオン添加IIa-IIIb2-S4 族蛍光体
232.	2002/06	無機EL蛍光体の現状と動向
233.	2002/05	無機ELディスプレイの開発動向と他方式ディスプレイとの比較・検討
234.	2002/04	無機ELディスプレイの動作原理と材料・素子の開発、評価
235.	2002/03	CaIn2S4:Eu蛍光体におけるZn添加の効果
236.	2002/03	DV-Xα 分子軌道法によるMo酸化物薄膜の電子状態
237.	2002/03	スパッタリング法によるZrO2薄膜の屈折率分散特性
238.	2002/03	レーザアブレーション法により作製したβ-FeSi2の表面偏折
239.	2002/03	レーザアブレーション法による BaAl2S4:Eu 薄膜の作製
240.	2002/03	無機ELディスプレイの開発動向
241.	2002/03	緑色発光CaAl2S4:Eu薄膜EL素子の作製
242.	2002/03	青色発光BaAl2S4:Eu薄膜の昇音脱離ガス分光法による評価
243.	2002/01	レーザアブレーション法によるBaAl2S4:Eu薄膜の作製
244.	2002/01	レーザアブレーション法によるBaMgAl10O17:Eu薄膜の作製
245.	2002/01	青色発光BaAl2S4:Eu薄膜の熱処理過程評価
246.	2001/12	多元系硫化物EL材料
247.	2001/12	無機ELディスプレイの開発動向と今後の課題
248.	2001/11	BaAl2S4:Eu Phosphors for Full-Color EL Display
249.	2001/11	Preparation of Efficient Blue Emitting BaAl2S4:Eu Thin Films without High Temperature Annealing
250.	2001/11	真空蒸着法による高分子1次元フォトニック結晶の作製
251.	2001/09	A1N薄膜EL素子の電気的特性
252.	2001/09	PLD法によるBaMgA110017:Eu薄膜の作製
253.	2001/09	レーザアブレーション法により作製したβ-FeSi2/Siヘテロダイオード
254.	2001/09	反応性スパッタリング法によるNi酸化物薄膜の電気的・光学的特性
255.	2001/09	反応性スパッタリング法によるV添加Mo酸化物薄膜の光学的特性
256.	2001/09	反応性スパッタリング法によるZr添加V酸化物薄膜の光学的・電気的特性
257.	2001/09	昇温脱離ガス分光法を用いたBaAl2S4:Eu薄膜の熱処理過程分析
258.	2001/09	熱処理を用いない青色発光BaAl2S4:Eu薄膜の作製
259.	2001/03	BaAl2S4: Eu結晶の発光特性
260.	2001/03	スパッタリング法により作製したTi添加Hf酸化物薄膜の光学的特性(Ⅲ)
261.	2001/03	レーザアブレーション法により作製したβ-FeSi2/Siヘテロダイオードの電気的特性
262.	2001/03	反応性スパッタリング法によるHf添加V酸化物薄膜の光学的特性(Ⅱ)
263.	2001/03	反応性スパッタリング法によるMo酸化物薄膜の光学的特性
264.	2001/03	反応性スパッタリング法によるZrO2, Nb2O5薄膜のTi添加効果
265.	2001/01	BaAl2S4:Eu EL素子の電気的特性
266.	2001/01	超薄膜層を用いたアンドープ有機白色EL素子の作製と評価
267.	2001/01	電子ビーム蒸着法によるBaAl2S4:Eu EL素子
268.	2000/12	Blue-Emitting BaAl2S4: Eu2+ Thin-Film EL Devices
269.	2000/12	Composition and Luminescene Properties of Blue-Emitting BaAl2S4:Eu Thin-Films
270.	2000/12	Crystallization of Thin-Film Phosphors by New Annealing Technique
271.	2000/11	BaAl2S4:Eu Thin-Film EL Devices Prepared by Pulsed Laser Ablation Technique
272.	2000/11	β-FeSi2 thin-films grown by a pulsed laser Deposition method
273.	2000/09	β-FeSi2薄膜におけるバンドギャップエネルギーの組成比依存
274.	2000/09	スパッタリング法により作製したTi添加Hf酸化物薄膜の光学的特性(Ⅱ)
275.	2000/09	パルスレーザアブレーション法によるβ-FeSi2薄膜の形成機構
276.	2000/09	レーザアブレーション法を用いたBaAl2S4薄膜EL素子の作製
277.	2000/09	反応性スパッタリング法によるHf添加V酸化物薄膜の光学的特性
278.	2000/09	反応性スパッタリング法によるZrO2薄膜のTi添加効果
279.	2000/09	新しい高輝度青色発光薄膜EL素子(Ⅲ)
280.	2000/09	複合酸化物薄膜の理論計算
281.	2000/09	電子ビーム蒸着法によるBaAl2S: Eu 蛍光体薄膜
282.	2000/08	β-FeSi2 thin-films grown by a pulsed laser ablation method
283.	2000/05	青色発光BaAl2S4: Eu2+EL薄膜の組成および光学特性
284.	2000/03	2源パルス電子ビーム蒸着法により作製したBaAl2S4:Eu薄膜のX線電子分光法による評価
285.	2000/03	2源パルス電子ビーム蒸着法により作製したBaAl2S4:Eu薄膜の光学特性
286.	2000/03	Laser Ablation法によるβ -FeSi2薄膜の作製
287.	2000/03	PrxSr1 -xTiO3薄膜EL素子
288.	2000/03	スパッタリング法により作製したTi添加Hf酸化物の光学的特性
289.	2000/03	不純物添加バッファ層によるエレクトロルミネッセンスへの影響II
290.	2000/03	反応性スパッタリング法によるNb2O6薄膜のTi添加効果
291.	2000/03	新しい高輝度青色発光薄膜EL素子(2)
292.	2000/03	絶縁層にSrTiO3を用いたAlN薄膜EL素子
293.	2000/02	第5回蛍光体国際会議(STPD)報告
294.	2000/01	2価Euイオンを添加したBaAl2S4青色発光薄膜EL素子
295.	2000/01	薄膜EL素子におけるバッファ層の効果
296.	1999/12	Blue Emitting BaAl2S4:Eu TFEL Devices Prepared by Two Targets Pulse Electron Beam Evaporation
297.	1999/12	青色発光BaAl2S4:Eu2+薄膜EL
298.	1999/11	BaAl2S4:Eu 螢光体薄膜からのエレクトロルミネッセンス
299.	1999/11	CaIII2S4:Ce Electroluminescent Devices Prepared by Pulse Deposition Technique
300.	1999/09	RFマグネトロンスパッタリング法によるPrxSr1 -xTiO3薄膜EL素子
301.	1999/09	SrF2薄膜EL素子
302.	1999/09	不純部添加バッファ層によるエレクトロルミネッセンスへの影響
303.	1999/09	反応性スパッタリング法によるTa2O5:Ti薄膜の光学的特性
304.	1999/09	希土類を添加したAlN薄膜EL素子
305.	1999/09	新しい高輝度青色発光薄膜EL素子
306.	1999/01	2源パルス電子ビーム蒸着法によるCaAl2S4:Ce薄膜EL素子
307.	1999/01	2源パルス電子ビーム蒸着法による高効率CaGa2S4:Ce薄膜EL素子
308.	1998/09	CaF2:Eu薄膜EL素子
309.	1998/09	PrxSr1-xTiO3 薄膜EL素子
310.	1998/09	Two-Point EB蒸着法によるCaAl2xGa2(1-x)S4:Ce薄膜EL素子
311.	1998/03	Heガス添加Hf1+xTi1-xO4スパッタリング薄膜の光学的特性（Ⅱ）
312.	1998/03	Ta2O5:Tiスパッタリング薄膜の光学的特性（Ⅱ）
313.	1998/03	Two-Point EB蒸着法によるCaAl2S4:Ce薄膜EL素子
314.	1998/03	希土類イオン添加Al1-xGaxN薄膜のエレクトロルミネッセンス
315.	1997/11	CaGa2S4:Ce Electroluminescent Devices Prepared by The Two Target Electron-Beam Evaporation
316.	1997/10	Heガス添加Hf1+xTi1-xO4スパッタリング薄膜の光学的特性
317.	1997/10	Nb2O5:Tiスパッタリング薄膜の光学的特性
318.	1997/10	Two-Point蒸着によるCaGa2S4:Ce薄膜EL素子
319.	1997/10	Zn1-xMgxS薄膜EL素子へのHe-Cd Laser照射
320.	1997/10	希土類添加A1N薄膜のエレクトロルミネッセンス
321.	1997/10	希土類添加ITO薄膜のエレクトロルミネッセンス
322.	1997/03	Hf1+xTi1-xO4スパッタリング薄膜の成膜におけるHeガス添加効果
323.	1997/03	Ta2O5:Tiスパッタリング薄膜の光学的特性
324.	1997/03	Zn1-xMgxF2薄膜EL素子
325.	1996/09	RFスパッタリング法によるHf1+xTi1-xO4薄膜の光学的特性
326.	1996/09	スパッタITO薄膜の成膜に及ぼすHeガス添加効果
327.	1996/09	希土類イオン添加ZnS薄膜の赤外発光
328.	1996/08	Electroluminescent Spectra for Tb3+ Doped Zn1-xCdxS Thin-Films
329.	1996/03	RF多元同時スパッタリング法によるZr1+xTi1-xO4薄膜の作製
330.	1996/03	Zn1-xCdxS:TbOF薄膜EL素子におけるTb3+イオンの緩和過程
331.	1996/03	高周波マグネトロンスパッタリングによるZnO-In2O3薄膜の作製
332.	1995/11	Several Trial for New Phosphors of Electroluminescent Devices
333.	1995/08	Zn1-xMgxS:Eu薄膜EL素子
334.	1995/03	CdF2薄膜EL素子の温度依存性（Ⅱ）
335.	1995/03	IIb-III2-Ⅵ4族化合物母体のEL素子への可能性(II)
336.	1995/03	SrCa1-y-xBaxF2:Eu単結晶のフォトルミネッセンス
337.	1995/03	希土類酸硫化物を母体に用いた薄膜EL素子
338.	1994/10	Electroluminiscent Devices of Electron-Beam-Evaporated II-III2-VI4 Hosts
339.	1994/09	IIb-IIIb2-VI4母体のEL素子への可能性
340.	1994/03	BaF2:Eu単結晶の励起・発光スペクトルの濃度依存
341.	1994/03	Zn(1-x)CdxS:Tb EL素子におけるTb3+イオンの5D3→5D4緩和
342.	1994/01	Tm3+イオンを添加した種々のEL素子
343.	1993/12	CaGa2S4:Ce青色発光薄膜EL素子
344.	1993/09	CaF2:Eu, CaGa2S4:Ce 青色発光薄膜EL素子
345.	1993/09	CdF2薄膜EL素子の温度依存性
346.	1993/09	ZnS(1-x)Sex:Tm3+薄膜EL素子の発光スペクトル
347.	1993/09	青色発光La2O2S:Tm薄膜EL素子
348.	1993/08	Electroluminescence spectra for rare-Doped Zn1-xCdxS thin films
349.	1993/08	Electroluminescence spectra for rare-Doped ZnS1-xSex thin films
350.	1993/05	Rare Earth Doped Thin Film Electroluminescent Devices Using the Fluoride Emitting Layer
351.	1993/01	母体にフッ化物を用いた薄膜EL素子
352.	1992/12	種々の化合物にTm3+イオンを添加した薄膜EL素子
353.	1992/09	CdF2を母体に用いた薄膜EL素子
354.	1992/09	ZnS:Tm3+薄膜EL素子の時間分解発光スペクトル
355.	1992/09	薄膜EL素子における母体の禁制帯幅依存
356.	1992/05	Band-Gap Energy Dependence of Host Materials for Electroluminescent Spectra
357.	1992/01	Tmイオン添加薄膜のELスペクトルにおける母体のバンド幅依存
358.	1991/11	希土類イオン添加ZnF2薄膜EL素子
359.	1991/10	ZnS:Er,YbFx薄膜EL素子における発光スペクトルの励起パルス幅依存
360.	1991/10	ZnS:TbFx薄膜EL素子の紫外光照射効果(II)
361.	1991/10	希土類添加ZnF2薄膜EL素子
362.	1991/10	種々の母体材料にTm3+イオンを添加した青色発光薄膜EL素子
363.	1991/10	青色発光CaF2:Eu薄膜EL素子
364.	1991/09	ZnS薄膜電界発光素子における紫外光照射効果
365.	1991/03	ZnS:TbFx薄膜EL素子の紫外光照射効果
366.	1991/03	ZnS:Tm3+薄膜のエレクトロルミネッセンス
367.	1990/09	Y2O2S:Eu薄膜のエレクトロルミネッセンス
368.	1990/09	ZnS:Mn, ZnS:Tb 薄膜における発光の過渡的振舞い
369.	1990/06	Transient Behavior of Photoluminescence and Electroluminescence in ZnS Thin Film Doped with Tb3+ Ion
370.	1990/03	SrS:Ce薄膜EL素子の時間分解発光スペクトル
371.	1990/03	ZnS:TbFx薄膜のフォトルミネッセンス
372.	1989/10	Transient Characteristics of Emission in ZnS:Mn Thin Film Electroluminescent Devices
373.	1989/09	ZnS:TbFx薄膜EL素子における発光の過渡的振舞い
374.	1989/04	発光層の熱処理温度が異なるZnS:TbFx薄膜EL素子における発光過渡特性
375.	1988/10	Li+1イオンを共付活したZnS:EuFx薄膜の赤色発光EL
376.	1988/10	Time Resolved Emission Spectra in ZnS thin-film Electroluminescent Devices
377.	1988/10	ZnS:TbFx薄膜EL素子の時間分解発光スペクトルにおける発光層の熱処理温度依存
378.	1988/03	ZnS:TbF3薄膜EL素子の発光過渡特性（III）
379.	1987/10	ZnS:TbF3薄膜EL素子の発光過渡特性（Ⅱ）
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■ 学歴

1.	1992/03 (学位取得)	明治大学博士(工学)
2.	1987/04～1992/03	明治大学工学研究科電気工学博士課程修了博士（工学）

■ 教育上の業績

●教育内容・方法の工夫（授業評価等を含む）
1.	2015/09/30～	授業改善アンケート結果の活用

■ 社会における活動

1.	2013/09～2015/07	NEDO技術委員
2.	2010/09～2011/03	NEDO技術員
3.	2003/04～2004/04	経済産業省　平成15年度中小企業革新等対策補助金（創造技術研究開発事業）指導者
4.	2002/11～2004/03	全国中小企業団体中央会　平成14年度コーディネート活動支援事業　異業種交流会「シフト２１」研究指導

■ 研究課題・受託研究・科研費

1.		機能性薄膜個人研究（キーワード：薄膜,,）
2.		薄膜発光素子個人研究（キーワード：薄膜,発光,）
3.		薄膜エレクトロルミネッセンスディスプレイ機関内共同研究（キーワード：薄膜,EL,）
4.		酸化物エレクトロニクス個人研究（キーワード：酸化物,半導体,機能デバイス）
5.		フォトニック結晶個人研究（キーワード：フォトニック結晶,,）
6.		環境半導体機関内共同研究（キーワード：FeSi2,太陽電池,発光素子）
7.		有機薄膜デバイス個人研究（キーワード：有機EL,有機トランジスタ,）
8.		カーボンナノチューブ国内共同研究（キーワード：カーボンナノチューブ,CNT,）
9.		有機エレクトロルミネッセンス素子に関する研究国内共同研究
10.		蛍光体技術産学連携による受託・共同研究等
11.		無機ＥＬに関する研究産学連携による受託・共同研究等
12.		新規フラットパネルディスプレイに関する研究産学連携による受託・共同研究等
13.		Stacked Multi-Color ディスプレイパネル産学連携による受託・共同研究等
14.		薄膜ＥＬ素子用赤色蛍光体の開発産学連携による受託・共同研究等
15.		薄膜ＥＬ素子用赤色蛍光体の開発産学連携による受託・共同研究等
16.		映像情報表示デバイスのコンビナトリアル最適化法に関する研究国内共同研究
17.		薄膜誘電体に関する研究産学連携による受託・共同研究等
18.		高分子誘電体薄膜に関する研究産学連携による受託・共同研究等
19.		無機ＥＬ用硫化物発光材料のメカニズム解明およびその製造方法に関する研究産学連携による受託・共同研究等
20.		無機ＥＬ用硫化物発光材料のメカニズム解明およびその薄膜化に関する研究産学連携による受託・共同研究等
21.		バリウムチオアルミネート系蛍光体のＥＢ蒸着成膜プロセスの研究産学連携による受託・共同研究等
22.		新規発光機構に基づく低電圧駆動無機ＥＬ素子産学連携による受託・共同研究等
23.		カーボンナノチューブの電気的特性国内共同研究
24.		直流低電圧駆動電界発光素子の研究国内共同研究
25.		酸化物・窒化物・硫化物またはそれらの化合物薄膜蛍光体に関する研究国内共同研究
26.	1999	蛍光体（キーワード："蛍光体,,"）
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■ 受賞学術賞

1.	1999	The 6th International Display Workshops Outstanding Poster Paper Award
2.	2000	平成12年度蛍光体賞
3.	2002	日本学術振興会光電相互変換委員会業績賞
4.	2003	Society For Information Display (SID) Special Recognition Award

■ 現在の専門分野

電子デバイス・機器工学(Electron Devices and Apparatus Engineering), 応用物性・結晶工学(Applied Physics of Property and Crystallography)

■ 取得特許

1.		Perovskite oxide thin-film EL element（US 8193704 B2）
2.		Phosphor and EL panel（US 6942932 B2）
3.		Phosphor thin-film, manufacturing method of the same, and electroluminescent panel（US 6939482 B2）
4.		Treated phosphor, making method, thin film making apparatus, and EL device（US 2003/0087129）
5.		アルミネート青色発光蛍光体材料とそれを用いて構成した青色発光薄膜エレクトロルミネッセンス素子（3987263）
6.		分散型無機ＥＬ素子の製造方法、分散型無機ＥＬ素子及びそれを備えた照明装置（特開2011-175936）
7.		蛍光体およびELパネル（2003-238953）
8.		蛍光体とその製造方法、薄膜の製造装置、およびＥＬ素子（2001-294852）
9.		蛍光体材料、蛍光体薄膜及びその製造方法、発光素子、並びに、EL素子（2005-290196）
10.		蛍光体薄膜およびその製造方法ならびにELパネル（2002-274516）
11.		蛍光体薄膜およびその製造方法ならびにＥＬパネル（2004-137480）
12.		酸化物ペロブスカイト薄膜EL素子（5093694）
13.		酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜（5182857）
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