明治大学教員データベース

（最終更新日：2018-11-15 19:15:25）

  カツマタ　ヒロシ   KATSUMATA Hiroshi
  勝俣　裕
   所属   理工学部

職種専任准教授

■ 著書・論文

1.	著書	研究室紹介　明治大学理工学部電気電子生命学科オプトバイオエレクトロニクス研究室（単著） 2018/01
2.	論文	メカニカルミリング法と放電プラズマ焼結法によるβ-FeSi₂の作製とその応用（共著） 2016/06
3.	論文	Synthesis and crystal growth of Mg₂Si by the liquid encapsulated vertical gradient freezing method （共著） 2015/07
4.	論文	Optical transition in nanocrystalline Si doped SiO₂ thin films formed by co-sputtering （共著） 2014/02
5.	論文	Effects of Ga doping and nitridation on ZnO films prepared by RF Sputtering （共著） 2013/01
6.	論文	Optical band-gap of TiO₂ nanopowders doped with Al₂O₃ （共著） 2013/01
7.	論文	Growth of Si_0.5Ge_0.5 Single Crystals by the Traveling Liquidus-zone Method and their Structural Characterization （共著） 2012/05
8.	論文	Deposition of TaN Films by RF sputtering and their barrier properties in Cu/TaN/Dielectrics/Si MIS structures （共著） 2012/04
9.	論文	Development of microwave absorbing materials prepared from a polymer binder including Japanese lacquer and epoxy resin （共著） 2012/01
10.	論文	Structural and electrical properties of Co-doped β-FeSi₂ thin films prepared by RF magnetron sputtering （共著） 2012/01
11.	論文	Structural and electrical properties of β-FeSi₂ bulk materials for thermoelectric applications （共著） 2012/01
12.	論文	Properties of TaN Films for ULSIs Prepared by Reactive Sputter Deposition （共著） 2011/03
13.	論文	鉄シリサイド研究への取り組み（共著） 2011/03
14.	論文	The effect of Crystalline Structure on Photoluminescence of the β-FeSi₂ Film Prepared by Pulsed Laser Deposition Using Two Types of Target （共著） 2011/02
15.	論文	Photoluminescence properties of AlN:Eu,Si thin films （共著） 2010/12
16.	論文	Photoluminescent propertiesof Er and Yb doped nc-Si/SiO₂ thin film （共著） 2010/12
17.	論文	Resistivity variation of TaN thin films for barrier metal （共著） 2010/12
18.	論文	The crystalline effect of the of the β-FeSi₂ film using two types target prepared by pulsed laser deposition （共著） 2010/12
19.	論文	Pb-free bumping for high-performance SoCs （共著） 2004/06
20.	論文	Development of dishing-less slurry for poly silicon chemical-mechanical polishing process （共著） 2003/09
21.	論文	炭素電極を使用した電解水によるトレンチポリシリコン洗浄プロセスの検討（共著） 2003/06
22.	論文	Oxygen plasma damage in GaAs directly exposed to surface-wave plasma （共著） 2002/09
23.	論文	Characterization of a New Cleaning Method Using Electrolytic Ionized Water for Polysilicon Chemical Mechanical Polishing Process （共著） 2002/08
24.	論文	Evaluation of oxygen-plasma damage in GaAs exposed to a surface-wave plasma source developed for the ashing process （共著） 2001/09
25.	論文	Fabrication of heterostructure p-β-Fe_0.95Mn_0.05Si₂/n-Si diodes by Fe⁺ and Mn⁺ co-implantation in Si(100) substrates （共著） 2001/01
26.	論文	Etching, smoothing, and deposition with gas-cluster ion beam technology （共著） 2000/11
27.	論文	O₂ cluster ion-assisted deposition for tin-doped indium oxide films （共著） 2000/03
28.	論文	High-intensity oxygen cluster ion beam generation and its application to cluster ion-assisted deposition （共著） 1999/12
29.	論文	イオンビームプロセスによる受発光素子用半導体材料の作製とその光物性評価に関する研究（単著） 1999/03
30.	論文	Optical and electrical characterizations of Mn doped p-type β-FeSi₂ （共著） 1999/01
31.	論文	Optical Thin Film Formation by Gas-cluster Ion Beam Assisted Deposition （共著） 1998/11
32.	論文	Formation of polycrystalline β-FeSi₂ layers by ion-implantation and their optical properties （共著） 1998/09
33.	論文	Formation of oxide thin films for optical applications by O₂-cluster ion beam assisted deposition （共著） 1998/06
34.	論文	Fullerene ion (C₆₀⁺) implantation in GaAs(100) substrate （共著） 1998/06
35.	論文	Diffusion and defects in Yb implanted InP （共著） 1998/01
36.	論文	Effect of multiple-step annealing on the formation of semiconducting β-FeSi₂ and metallic α-Fe₂Si₅ on Si(100) by ion beam synthesis （共著） 1997/05
37.	論文	Ion-beam-induced epitaxial crystallization (IBIEC) and solid phase epitaxial growth (SPEG) of Si_1-xC_x layers in Si fabricated by C ion implantation （共著） 1997/05
38.	論文	Ion beam synthesis and characterization of metastable group-IV alloy semiconductors （共著） 1997/03
39.	論文	Two- and three-step annealing effects of metallic and semiconducting iron silicides formed by ion beam synthesis （共著） 1997/03
40.	論文	Crystallization of SiSn and SiSnC layers in Si by solid phase epitaxy and ion-beam-induced epitaxy （共著） 1997/01
41.	論文	Photoluminescence studies of epitaxial Si_1-xGe_x and Si_1-x-yGe_xC_y layers on Si formed by ion beam synthesis （共著） 1997/01
42.	論文	Growth of Ge_1-xC_x alloys on Si by combined low-energy ion beam deposition and molecular beam epitaxy method （共著） 1996/12
43.	論文	Optical absorption and photoluminescence studies of β-FeSi₂ prepared by heavy implantation of Fe⁺ ions into Si （共著） 1996/11
44.	論文	Electron spin resonance studies in β-FeSi₂ crystals （共著） 1996/08
45.	論文	Photoluminescence and Raman scattering studies of 2 MeV Yb⁺-implanted InP as a function of etching depth （共著） 1996/08
46.	論文	Synthesis of β-FeSi₂ for optical applications by Fe triple-energy ion implantation into Si(100) and Si(111) substrates （共著） 1996/08
47.	論文	Synthesis of metastable group-IV alloy semiconductors by ion implantation and ion-beam-induced epitaxial crystallization （共著） 1996/07
48.	論文	Electrical properties of β-FeSi₂ bulk crystal grown by horizontal gradient freeze method （共著） 1996/03
49.	論文	Optical, electrical and structural properties of polycrystalline β-FeSi₂ thin films fabricated by electron beam evaporation of ferrosilicon （共著） 1996/03
50.	論文	Heavily carbon-doped GaAs layers prepared by low-energy ion-beam impingement during molecular beam epitaxy （共著） 1995/12
51.	論文	Structural and optical characterization of β-FeSi₂ layers on Si formed by ion beam synthesis （共著） 1995/12
52.	論文	Growth of Si_1-xSn_x layers on Si by ion-beam-induced epitaxial crystallization (IBIEC) and solid phase epitaxial growth (SPEG) （共著） 1995/11
53.	論文	Structural properties of β-FeSi₂ bulk crystal grown by horizontal gradient freeze method （共著） 1995/11
54.	論文	Fabrication of epitaxial silicides thin films by combining low-energy ion beam deposition and silicon molecular beam epitaxy （共著） 1995/04
55.	論文	Ion-beam-induced epitaxy and solid phase epitaxy of SiGeC on Si formed by Ge and C ion implantation and their structural and optical properties （共著） 1995/04
56.	論文	Optical and crystalline properties of Yb implanted InP （共著） 1995/03
57.	論文	Optical and structural properties of β-FeSi₂ layers on Si fabricated by triple ⁵⁶Fe ion implantations （共著） 1995/02
58.	論文	Optical activity of Yb³⁺ in MeV ion-implanted InP （共著） 1993
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■ 学会発表

1.	2018/11/12	Enhancement and stabilization of blue photoluminescence from Eu and Si codoped AlN films formed by reactive co-sputtering（International Workshop on Nitride Semiconductors, 2018）
2.	2018/09/20	スパッタリング法によるEu,Si共添加AlN薄膜の形成における共添加材料の検討（第79回応用物理学会秋季学術講演会（20p-235-10））
3.	2018/09/19	共スパッタリング法により形成したMgSiSn薄膜の電気特性（第79回応用物理学会秋季学術講演会（19a-436-6））
4.	2018/07/22	薄膜の物性評価の基礎と最近のトピックス（第18回シリサイド系半導体夏の学校）
5.	2018/07/21	a-Si/β-FeSi₂複合薄膜の形成と半導体全固体二次電池への応用（第18回シリサイド系半導体夏の学校）
6.	2018/07/21	Si系ナノ結晶の形成における熱処理条件およびカーボン添加が光学特性に及ぼす影響（第18回シリサイド系半導体夏の学校）
7.	2018/07/21	共スパッタリング法によるMgSiSn薄膜の形成と物性評価（第18回シリサイド系半導体夏の学校）
8.	2017/10/17	Blue and red photoluminescence from Eu and Si codoped AlN films formed by reactive co-sputtering（TACT2017 International Thin Films Conference (C-P-0171)）
9.	2017/10/17	Prediction of nanocrystalline-Si size in SiO2 matrix based on LSW theory（TACT2017 International Thin Films Conference (C-P-0147)）
10.	2017/09/08	共スパッタリング法によるMg₂Si_1-xSn_x薄膜の形成（第78回応用物理学会秋季学術講演会（7p-PB4-7））
11.	2017/08/10	Crystal Growth of Mg₂Si for Thermoelectric Applications by the Liquid Encapsulated Vertical Gradient Freezing Method（EMN 3CG & Metallic Glasses Meeting (pp.35-36)）
12.	2017/07/29	VGF法によるMg₂Si結晶成長における原料形態および液体封止材の充填量の影響（第17回シリサイド系半導体夏の学校（p.53））
13.	2017/07/29	共スパッタ法によるアモルファスSi/β-FeSi₂複合薄膜の形成および物性評価（第17回シリサイド系半導体夏の学校（p.45））
14.	2017/03/15	LSW理論に基づくSiO₂薄膜中のナノ結晶Siの粒径予測（第64回応用物理学会春季学術講演会（15a-411-5））
15.	2016/09/15	Mg₂Si薄膜の固相成長におけるAg添加の影響と二段階熱処理の効果（第77回応用物理学会秋季学術講演会(15a-B3-9)）
16.	2016/09/06	Bulk Single Crystal Growth of Mg₂Si by the Liquid Encapsulated Vertical Gradient Freezing Method（Energy, Materials and Nanotechnology, the Collaborative Conference on Crystal Growth (EMN-3CG)）
17.	2016/08/09	Formation of Eu,Si codoped AlN thin films on Si substrate by reactive co-sputtering for heterojunction visible light emitting diode（The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) (TuP-T09-8)）
18.	2016/08/09	Si-based visible luminescent material grown on Si substrates by chemical reaction with Si powder（The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) (Tu1-G03-7)）
19.	2016/08/09	Vertical Gradient Freeze Growth of Mg₂Si crystals using Liquid Encapsulated Liquinert Process（The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) (TuP-G06-35)）
20.	2016/03/21	VGF法によるMg₂Si結晶成長における原料の形状・純度と封止剤のハロゲン処理の影響（第63回応用物理学会春季学術講演会（21p-S223-15））
21.	2015/11/17	Fabrication and optical characterization of p-ZnO:Cu,N/n-SiC heterojunctions（International Thin Films Conference (TACT2015)）
22.	2015/11/17	Formation of amorphous Si/β-FeSi₂ composite thin films by co-sputtering（International Thin Films Conference (TACT2015)）
23.	2015/11/17	Optical and structural properties of Si_xC_1-x alloy thin films prepared by RF magnetron sputtering（International Thin Films Conference (TACT2015)）
24.	2015/11/17	Visible and 1.5μm luminescence from SiO₂ thin films codoped with nc-Si and Er（International Thin Films Conference (TACT2015)）
25.	2015/09/14	AlN:Eu薄膜の光物性評価と発光デバイスの作製（第76回応用物理学会秋季学術講演会(14a-2B-5)）
26.	2015/06/17	Photoluminescence and Electroluminescence from SiO₂ Thin Films（The 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2015)）
27.	2015/03/13	共スパッタリング法によるアモルファスSi/β-FeSi₂複合薄膜の形成（第62回応用物理学会春季学術講演会（13a-A25-9））
28.	2015/03/13	液体封止VGF法によるMg₂Siバルク結晶成長（第62回応用物理学会春季学術講演会（13a-A25-4））
29.	2015/03/12	RFマグネトロンスパッタリング法により作製したSi_xC_1-x混晶薄膜の光学的・構造的特性（第62回応用物理学会春季学術講演会（12p-P17-6））
30.	2014/11/13	Formation of ZnGaON Films Prepared by Two Types of co-Sputtering using ZnO or Zn Target and their Optical Properties（AVS (American Vacuum Society) 61st International Symposium and Exhibition (AVS-61), Baltimore, USA (TF-ThP9)）
31.	2014/11/11	Formation of AlN Thin Films by Direct Nitridation of Aluminum Thin Films and Their Visible Photoluminescence Property（AVS (American Vacuum Society) 61st International Symposium and Exhibition (AVS-61), Baltimore, USA (EM-TuP7)）
32.	2014/11/11	Solid Phase Growth of Mg₂Si Thin Films on Poly-Si/Glass Substrates Prepared by Aluminum Induced Crystallization（AVS (American Vacuum Society) 61st International Symposium and Exhibition (AVS-61), Baltimore, USA (EM-TuP9)）
33.	2014/09/20	Mg₂Si薄膜の固相成長中の熱処理雰囲気が膜質に与える影響（第75回応用物理学会秋季学術講演会（20a-A27-4））
34.	2014/09/19	p-ZnO:Cu,N/n-SiCヘテロ接合デバイスの作製と光物性評価（第75回応用物理学会秋季学術講演会（19p-A26-8 ））
35.	2014/09/19	ボールミルにおける溶媒条件がβ-FeSi₂のプラズマ焼結に与える影響（第75回応用物理学会秋季学術講演会（19p-A27-17））
36.	2014/09/19	反応性RFスパッタ法によるZn₃N₂薄膜の形成におけるGa₂O₃添加の影響（第75回応用物理学会秋季学術講演会（19p-A26-19））
37.	2014/09/18	NH₃およびN₂を用いたAl薄膜の直接窒化によるAlN薄膜の形成（第75回応用物理学会秋季学術講演会（18a-A24-1））
38.	2014/07/20	Processing of fine β-FeSi₂ powders and formation of β-FeSi₂ by electric discharge plasma activated sintering（ICSS-Silicide 2014 (International conference and summer school on advanced silicide technology 2014), Tokyo, Japan (20-P20)）
39.	2014/07/20	Solid phase growth of Mg₂Si thin films on Si(111) and their optical, structural and electrical properties（ICSS-Silicide 2014 (International conference and summer school on advanced silicide technology 2014), Tokyo, Japan (20-AM-II-5)）
40.	2014/07/20	Synthesis and crystallization of Mg₂Si by the liquid encapsulated vertical gradient freezing method,（ICSS-Silicide 2014 (International conference and summer school on advanced silicide technology 2014), Tokyo, Japan (20-P11)）
41.	2014/07/08	Processing of fine β-FeSi₂ powders and formation of β-FeSi₂ by electric discharge plasma activated sintering（International Conference on Thermoelectrics, Tennessee, USA (PA5-015)）
42.	2014/07/08	Solid phase growth of Mg₂Si thin films on Si(111) and their electrical, structural and optical properties（International Conference on Thermoelectrics, Tennessee, USA (PA2-039)）
43.	2014/07/08	Sticking-free synthesis of Mg₂Si by vertical gradient freezing method using liquid encapsulants（International Conference on Thermoelectrics, Tennessee, USA (PA2-036)）
44.	2014/03/19	AIC多結晶Si基板上へのMg₂Si薄膜の固相成長（第61回応用物理学会春季学術講演会）
45.	2013/11/26	HFCVD法を用いた炭素系薄膜の形成と光学的評価（2013年真空・表面科学合同講演会（第33回表面科学学術講演会・第54回真空に関する連合講演会），筑波）
46.	2013/09/18	GaおよびN添加ZnO薄膜の電気伝導特性（2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会）
47.	2013/09/18	NH₃ガスを用いたAl薄膜の直接窒化によるAlN薄膜の形成（2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会）
48.	2013/09/18	反応性スパッタ法により形成したAlN:Eu,Si薄膜のPL 発光特性（2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会）
49.	2013/09/16	RF スパッタ法によるZnO 系薄膜の形成におけるGaN 添加とその後のNH₃ 窒化処理の影響（2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会）
50.	2013/09/16	ナノ結晶Si を添加したSiO_x薄膜の光学特性と電気特性（2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会）
51.	2013/08/23	Optical and Electrical Properties of Nanocrystalline Si Doped SiO_x Thin Films Formed by Co-Sputtering（The 25th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS25), Toronto, Canada）
52.	2013/08/20	Photoluminescence Properties of Er and Nanocrystalline-Si in SiO₂ Films and Aqueous Solutions（The 25th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS25)), Toronto, Canada）
53.	2013/07/27	Processing of nanoscale Fe-Si composite powders and formation of β-FeSi₂ by electric discharge plasma activated sintering（Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2013), Tsukuba, Japan）
54.	2013/07/27	Solid phase growth of Mg₂Si thin films on Si(100) and their optical, structural and electrical properties（Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2013), Tsukuba, Japan）
55.	2013/07/27	Synthesis of Mg₂Si bulk crystal by vertical gradient freezing method using KCl as liquid encapsulant（Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2013), Tsukuba, Japan）
56.	2012/11/26	Effects of Ga doping and nitridation on ZnO films prepared by RF Sputtering（2012 Materials Research Society, Fall Meeting）
57.	2012/11/26	Optical band-gap of TiO₂nanopowders doped with Al₂O₃（2012 Materials Research Society, Fall Meeting）
58.	2012/11/02	Photoluminescence and electronic properties of nanocrystalline Si doped SiO₂ thin films formed by co-sputtering（25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference）
59.	2012/10/16	Photoluminescence and Structural Properties of AlN:Eu,Si Prepared by RF magnetron Co-sputtering Using Multiple Target Materials（The 7th International Workshop on Nitride Semiconductors, Sapporo, Japan.）
60.	2012/10/09	The effect of charged particle irradiation on the formation of carbon thin films by DC-biased hot wire chemical vapor deposition（7th International Conference on HWCVD）
61.	2012/09/14	RFスパッタ法によるZnO薄膜の作製におけるGa添加とその後の窒化処理の影響（2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会）
62.	2012/09/13	ナノ結晶Siを添加したSiO₂薄膜のPL発光および電気的特性評価（2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会）
63.	2012/09/13	複合ターゲットを用いて反応性スパッタ法により作製したAlN:Eu,Si薄膜の発光、構造的特性の評価（2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会）
64.	2012/09/12	Al₂O₃を添加したTiO₂微粉末の光学バンドギャップ（2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会）
65.	2012/07/29	FeSi 系粉末の微細化とプラズマ高速焼結法によるβ-FeSi₂ バルクの形成（第14回シリサイド系半導体と関連物質研究会夏の学校）
66.	2012/07/29	Si(100)基板上に固層成長したMg2Si 薄膜の光学的・電気的特性（第14回シリサイド系半導体と関連物質研究会夏の学校）
67.	2012/03/17	Erおよびナノ結晶シリコンを添加したSiO₂薄膜の発光特性（2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会）
68.	2012/03/16	Si(100)基板上へのMg₂Si薄膜の固相成長と諸特性（2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会）
69.	2011/12/12	Deposition of TaN Films by RF sputtering and their barrier properties in Cu/TaN/Dielectrics/Si MIS structures（6th International Symposium on Surface Science (ISSS-6)）
70.	2011/09/21	The Luminescence Property of SiO₂ Thin Films Doped with Rare Earth and Nanocrystalline Si（International Union of Materials Research Societies and International Conference in Asia (IUMRS-ICA2011)）
71.	2011/09/20	Growth of Si_0.5Ge_0.5 single crystals by the traveling liquidus-zone method and their structural characterizations（International Union of Materials Research Societies and International Conference in Asia (IUMRS-ICA2011)）
72.	2011/09/01	AIC法を用いたß-FeSi₂の作製及びその構造的、電気的特性評価（2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会）
73.	2011/09/01	TaN薄膜の電気抵抗値に及ぼすフラッシュランプ熱処理の影響（2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会）
74.	2011/09/01	TLZ法によるSi_0.5Ge_0.5単結晶作製とその結晶性の評価（Ⅱ）（2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会）
75.	2011/08/26	Structural and electrical properties of β-FeSi₂ bulk materials for thermoelectric applications（Asian School-Conference on Physics and technology of nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT)）
76.	2011/08/25	Structural and electrical properties of β-FeSi₂ thin films prepared by RF magnetron sputtering（Asian School-Conference on Physics and technology of nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT)）
77.	2011/08/23	Development of microwave absorbing materials prepared from a polymer binder including Japanese lacquer and epoxy resin（Asian School-Conference on Physics and technology of nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT)）
78.	2011/03/28	鉄シリサイド研究への取り組み（第17回シリサイド系半導体研究会）
79.	2011/03/27	漆とエポキシ樹脂をバインダとした電波吸収材料の作成（2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会）
80.	2011/03/25	β-FeSi₂熱電変換材料の作製（2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会）
81.	2011/03/24	反応性スパッタリング法で作製したTaN薄膜の熱処理依存性（2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会）
82.	2010/12/18	The crystalline effect of the of the β-FeSi₂ film using two types target prepared by pulsed laser deposition（The International Conference on Electrical and Computer Engineering (ICECE), Dec. 18-20, 2010, Dhaka, Bangladesh.）
83.	2010/09/16	(ZnO)_1-x(GaN)_x:Mn²⁺粉末の作製と光学的評価（2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会）
84.	2010/09/16	ナノクリスタルGe分散溶液の発光特性（2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会）
85.	2010/09/15	漆とエポキシ樹脂をバインダとした電波吸収材料の作製（2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会）
86.	2010/09/14	反応性スパッタリング法で作製した窒化タンタル薄膜の諸性質（2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会）
87.	2007/03	高圧水照射によるSi表面酸化とそのMOS特性（第54回応用物理学関係連合講演会，東京）
88.	2005/09	インピーダンス測定によるAlOXトンネル接合素子の評価（第66回応用物理学関係連合講演会，徳島）
89.	2004/09/15	Thermally Stable Magnetic Tunnel Junctions for High Density MRAM（2004 International Conference on Solid State Devices and Materials,　Tokyo,　Japan）
90.	2004/06	Pb-free bumping for high-performance SoCs（54th Electronic Components and Technology Conference, USA,IEEE）
91.	2001/03	下地絶縁膜の膜質がＡｌ結晶配向性におよぼす影響（第48回応用物理学関係連合講演会，東京）
92.	1999/03	Ion Beam Synthesis法によるβ-FeSi₂/Siの作製とその光物性評価（シンポジウム講演）（第46回応用物理学関係連合講演会，千葉）
93.	1999/03	ガスクラスターイオンビームを用いた新しい薄膜形成技術（シンポジウム講演）（第46回応用物理学関係連合講演会，千葉）
94.	1998/11/04	Optical Thin Film Formation by Gas-cluster Ion Beam Assisted Deposition（15th Int. Conf. on Application of Accelerators in Research and Industry, Denton, Texas, USA）
95.	1998/09	ガスクラスーイオンビーム援用蒸着法による光学薄膜の形成(II)（第59回応用物理学関係連合講演会，広島）
96.	1998/06/22	Formation of oxide thin films by O₂-cluster ion beam assisted deposition（12th International Conference on Ion Implantation Technology, Kyoto, Japan）
97.	1998/06	Fullerene ion (C₆₀⁺) implantation in GaAs(100) substrate（12th International Conference on Ion Implantation Technology, Kyoto, Japan, IEEE）
98.	1998/03	ガスクラスーイオンビーム援用蒸着法による光学薄膜の形成（第45回応用物理学関係連合講演会，東京）
99.	1997/03	Ion beam synthesis and characterization of metastable group-IV alloy semiconductors（The 7th International Symposium on Advanced Nuclear Energy Research, Takasaki, Japan）
100.	1997/03	Two- and three-step annealing effects of metallic and semiconducting iron silicides formed by ion beam synthesis（The 7th International Symposium on Advanced Nuclear Energy Research, Takasaki, Japan）
101.	1996/12	Growth of Ge_1-xC_x alloys on Si by combined low-energy ion beam deposition and molecular beam epitaxy method（Mater. Res. Soc. Symp.）
102.	1996/09	IBS法により作製したβ-FeSi₂/Siからの1.54 mm PL発光と光吸収・Raman散乱特性（第57回応用物理学関係連合講演会，福岡）
103.	1996/05/23	Photoluminescence studies of epitaxial Si_1-xGe_x and Si_1-x-yGe_xC_y layers on Si formed by ion beam synthesis（Joint International Symposium of the '96 MRS-J Conference and the 3rd Ion Engineering Conference, Makuhari, Japan）
104.	1996/03/26	Optical, electrical and structural properties of polycrystalline β-FeSi₂ thin films fabricated by electron beam evaporation of ferrosilicon（The 15th International Conference on Thermoelectrics, Pasadena, USA）
105.	1996/03	Electrical properties of β-FeSi₂ bulk crystal grown by horizontal gradient freeze method（The 15th International Conference on Thermoelectrics, Pasadena, USA, IEEE）
106.	1995/11	Growth of Si_1-xSn_x layers on Si by ion-beam-induced epitaxial crystallization (IBIEC) and solid phase epitaxial growth (SPEG)（Mater. Res. Soc. Symp.）
107.	1995/11	Structural properties of β-FeSi₂ bulk crystal grown by horizontal gradient freeze method（Mater. Res. Soc. Symp.）
108.	1995/08	β-FeSi₂/Siの光学・構造的特性に及ぼす基板面方位の影響（第56回応用物理学関係連合講演会，石川）
109.	1995/04	Fabrication of epitaxial silicides thin films by combining low-energy ion beam deposition and silicon molecular beam epitaxy（Mater. Res. Soc. Symp.）
110.	1995/04	Feイオン注入により作製したβ-FeSi₂/Si の光学的・構造的特性（第42回応用物理学関係連合講演会，神奈川）
111.	1995/04	Ion-beam-induced epitaxy and solid phase epitaxy of SiGeC on Si formed by Ge and C ion implantation and their structural and optical properties（Mater. Res. Soc. Symp.）
112.	1995/02/05	Optical and structural properties of β-FeSi₂ layers on Si fabricated by triple ⁵⁶Fe ion implantations（9th International Conference on Ion Beam Modification of Materials,Canberra, Australia）
113.	1994/12	Optical and structural characterizations of β-FeSi₂ synthesized by Fe ion implantation（第13回法政大学イオンビーム工学シンポジウム，東京）
114.	1994/04	イオン注入による欠陥準位を介したInP:Ybの選択励起発光スペクトル（第41回応用物理学関係連合講演会（講演予稿集 Pt 3, p.1173））
115.	1993/08/09	Optical activity and recrystallization of Yb⁺-MeV ion-implanted InP（International Conference on Luminescence, Connecticut, USA）
116.	1993/04	MeVイオン注入によるInP:Ybの励起・発光スペクトル（第40回応用物理学関係連合講演会（講演予稿集 Pt 3, p.1302））
117.	1993/04	Optical activity of Yb³⁺ in MeV ion-implanted InP（Mater. Res. Soc. Symp.）
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■ 学歴

1.	1988/04～1992/03	明治大学工学部電気工学科卒業
2.	1992/04～1994/03	明治大学大学院工学研究科電気工学専攻修士課程修了修士（工学）
3.	1994/04～1997/03	明治大学大学院理工学研究科電気工学専攻博士課程修了博士（工学）
4.	1997/03/26 (学位取得)	明治大学博士（工学）

■ 職歴

1.	1997/04～2000/03	京都大学工学部付属イオン工学実験施設講師［研究機関研究員］
2.	2000/04～2010/03	株式会社東芝生産技術センター　プロセス研究センター

■ 学内役職・委員

2017/04/01～2019/03/31

明治大学学生相談員

■ 主要学科目

電気磁気学，電子デバイス

■ 研究課題・受託研究・科研費

1.	2018/04～2019/03	シリコン系半導体を用いた半導体固体電池の開発に関する研究企業からの受託研究
2.	2017/04～2018/03	シリサイド半導体を用いた半導体固体電池の開発に関する研究企業からの受託研究
3.	2016/10～2017/03	MgSi系熱電材料のドーピング技術の研究国内共同研究
4.	2016/04～2017/03	シリサイド薄膜の研究指定寄付研究費
5.	2015/09～2016/08	MgSi系熱電材料のドーピング技術の研究企業からの受託研究
6.	2015/04～2016/03	シリサイド薄膜の研究指定寄付研究費
7.	2013/04～2018/03	農工商連携モデルを基盤とした都市地域における完全人工型植物工場研究拠点の形成競争的資金等の外部資金による研究
8.	2013/04～2014/03	シリサイド薄膜の研究指定寄付研究費
9.	2012/04～2013/03	植物工場プロジェクト研究機関内共同研究
10.	2011/04～2012/03	半導体材料とそのデバイス応用指定寄付研究費
11.	2011/04～2012/03	植物工場プロジェクト研究機関内共同研究
12.	2010/04～2011/03	排熱を利用した熱電変換システムに用いる半導体熱電変換素子の開発に関する基礎研究企業からの受託研究
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■ ホームページ

オプトバイオエレクトロニクス研究室

■ 受賞学術賞

1.	2015/11	Poster Award of Merit, International Thin Films Conference (TACT2015), National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan
2.	2011/08	Best Poster Report Award, Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT), Vladivostok, Russia
3.	2000/11	R.F.Bunshah Award for the Best Paper at 27th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films, American Vacuum Society.

■ 現在の専門分野

電子・電気材料工学（Electronic materials/Electric materials）　（キーワード：シリサイド半導体，ナノ結晶，ワイドバンドギャップ半導体）

■ 取得特許

1.		有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法（特開2003-347063）
2.		有機半導体装置およびその製造方法（特許4672319）
3.		酸化膜形成方法（特開2006-93445）
4.		Method of manufacturing oxide film and method of manufacturing semiconductor device（US 2006/0068605 A1）
5.		電子デバイスの評価方法および電子デバイス（特開2007-73907）
6.		半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び半導体装置（特許4745273）
7.		METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE（KR1009379110000(大韓民国)）
8.		Method of manufacturing semiconductor device, apparatus of manufacturing semiconductor device and semiconductor device（US7833911）
9.		半導体装置の製造方法（特開2008-244144）
10.		マスク、マスクの作製方法および半導体装置の製造方法（特開2010-224296）
11.		窒化物半導体発光素子の製造方法（特開2012-064811）
12.		METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT（US 2012/0070966 A1）
13.	2017/09/29	半導体固体電池（特願2017-188658）
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