教員データベース - 小椋　厚志

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（最終更新日：2023-08-09 22:31:29）

  オグラ　アツシ   Ogura Atusi
  小椋　厚志
   所属   明治大学理工学部

職種専任教授

■ 著書・論文

1.	2012/08	著書	Advanced Aspects of Spectroscopy （共著）
2.	2007/11	著書	表面・深さ方向の分析方法（共著）
3.	2006/11	著書	電子材料ハンドブック（共著）
4.	2006/08	著書	高周波半導体材料・デバイスの新展開（共著）
5.	2005/12	著書	最新シリコンデバイスと結晶技術（共著）
6.	2004	著書	SIMOX （共著）
7.	2003/04	著書	21世紀版・薄膜作製応用ハンドブック（共著）
8.	2003	著書	赤外線加熱工学ハンドブック（共著）
9.	1998	著書	Stress at the interface in SOI structure no. （共著）
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■ 学会発表

1.	2006/11	Evaluation of Polycrystalline Silicon for Solar Cells by Small p-n Diode Array
2.	2006/11	Evaluation of polycrystalline silicon for solar-cells by small p-n diode array
3.	2006/11	SiO2/Si Interfacial Lattice Strain Revealed by Extremely Asymmetric X-ray Diffraction
4.	2006/11	X-ray photoelectron spectroscopy study on SiO_2_ formed on several orientated c-Si in high pressure water vapo
5.	2006/10	Evaluation of SOI substrates with local or global strain by means of in-plane XRD measurement
6.	2006/10	W-CVD using biscyclopentadienyltungsten system
7.	2006/09	Analysis of Multicrystalline Silicon Wafers for Solar Cells by Photoluminescence Mapping and Spectroscopy
8.	2006/09	Evaluation of crystal quality of multicrystalline silicon for solar cells by p-n diode array
9.	2006/09	Evaluation of strain at Si_3_N_4_/Si interface by In-plane X-ray deffraction and UV-Raman spectroscopy
10.	2006/09	Evaluation of strained-Si substrates by means of UV-Raman spectroscopy
11.	2006/09	Measurement of strain at HfsiO(N)/Si interface by UV Raman Spectroscopy
12.	2006/09	Photoluminescence characterization of defects in multi-crystalline silicon wafers
13.	2006/09	Properties of chemical reaction during Ni and Ni-silicide deposition using Ni(PF_3_)_4_ and Si_3_H_8
14.	2006/09	Properties of Ni and Ni-silicide deposition using Ni(PF_3_)_4_ and Si_3_H_8_
15.	2006/09	Relative oxidation rates of various oriented silicon substrates in high-pressusre water vapor
16.	2006/09	W-CVD using (i-PrCp)_2_WH_2_
17.	2006/09	W-CVD using biscyclopentadienyltungsten system
18.	2006/08	CVDによるNiシリサイドの堆積Ⅱ
19.	2006/08	In-plane X線回析法によるローカ
20.	2006/08	Strain engineering and evaluation in advanced LSI technology
21.	2006/08	UV/可視－ラマン分光によるSi_3_N_4_/Si界面歪の評価
22.	2006/08	UVラマン分光によるHfSiO(N)/Si 界面の評価
23.	2006/08	太陽電池用多結晶Siの欠陥領域の低温PLマッピング解析
24.	2006/08	微小ｐｎダイオードアレイによる太陽電池用多結晶Siの評価
25.	2006/08	極端に非対称なX線回析法を用いたシリコン高圧酸化膜の界面格子歪評価
26.	2006/08	高圧水蒸気により形成されたシリコン酸化膜の硬Ｘ線励起Si1ｓスペクトル観察
27.	2006/07	Chemical Vapor Deposition of NiSi using Ni(PF_3_)_4_ and Si_3_H_8_
28.	2006/05	Discussion on Issues Toward 450mm Wafer
29.	2006/03	CVDによるNiシリサイドの堆積
30.	2006/03	Measurement of in-plane and depth profiles of strain in strained-Si substrates
31.	2006/03	SOI および歪Ｓｉ基板技術の動向と評価技術
32.	2006/03	UV－ラマンマッピング法による歪Ｓｉ基板の歪分布
33.	2006/03	分のPLマッピング／スペクトル解析
34.	2006/03	高分解能ＲＢＳによる歪Ｓｉの歪み評価
35.	2006/03	Ｘ線in-plane回析による歪Ｓｉ基板の深さ方向歪分布測定
36.	2006/02	イントロダクトリートーク
37.	2006/02	次世代向けウェハの現状と課題
38.	2005/12	JEITAにおける超薄膜SOIおよび歪Siウェーハの標準化の現状
39.	2005/11	Ni-silicide precursor for gate electrode
40.	2005/10	Chemical Vapor Deposition of Ni-silicide for gate electrode
41.	2005/10	Relaxation of Strained-SOI substrates by RTA process
42.	2005/10	デバイス開発のための表面・界面分析技術－Si結晶、基板
43.	2005/09	Composition control of Ni-silicide by CVD using Ni(PF_3_)_4_ and Si_3_H_8_
44.	2005/09	CVDによるNiシリサイドゲート電極の堆積
45.	2005/09	Si中のローカル／グローバル歪測定のための高性能UV－ラマン分光システムの開発
46.	2005/09	UV-Raman Spectroscopy System for Local and Global Strain Measurement in Si
47.	2005/09	UV－ラマン分光を用いた歪Si基板のRTAプロセスによる歪緩和評価
48.	2005/09	W成膜のための液体CVD原料：i-PrCp_2_WH_2_
49.	2005/08	Estimation of Lattice Structure of Strained-Si Wafers Using Highly Parallel X-Ray Microbeam(Ⅰ)
50.	2005/08	Estimation of Lattice Structure of Strained-Si Wafers Using Highly Parallel X-Ray Microbeam(Ⅱ)
51.	2005/07	Crystallinity Estimation of Strained-Si Wafers by Using Highly Parallel X-Ray Microbeam
52.	2005/05	Evaluation of commercial SGOI and SSOI wafers comparing with epitaxially grown strained-Si by means of laser confocal inspection system
53.	2005/05	Nickel thin film deposition using Ni(PF_3_)_4_ for LSI electrode
54.	2005/03	Ni（PF_3_)_4_を用いたNi薄膜の堆積Ⅱ
55.	2005/03	放射光Ｘ線回析法による歪みSi/SiGe/Si基板（市販）の格子歪み評価（Ⅳ）歪みSi層の結晶性評価
56.	2004/10	Ni thin films deposition using tetrakistrifluorophosphinenickel (0), Ni(PF3)4
57.	2004/09	Depth Profiling of Si/Si1-xGex Structures by Micro-Raman Imaging
58.	2004/09	Depth Profiling of Si/Si1-xGex Structures by Micro-Raman Imaging
59.	2004/07	Crystalinity Estimate of Commercially Available Strained-Si Wafers using Synchrotron Highly Parallel X-ray Microbeam
60.	2004/06	Surface reaction in Ni MOCVD using cyclopentadienylallylnikel as a precursors Properties of CVD precursors for Ni
61.	2004/05	Properties of CVD precursors for Ni
62.	2004/03	Characterization of Strained Si/SiGe Heterostructure
63.	2004/03	ラマン分光法による歪Si/SiGe/Si基板の歪測定における励起光波長の選択
64.	2004/03	放射光Ｘ線回析法による歪Si/SiGe/Si基板（市販）の格子歪評価（Ⅰ）―広域構造
65.	2004/03	放射光Ｘ線回析法による歪Si/SiGe/Si基板（市販）の格子歪評価（Ⅱ）―局所構造
66.	2004/03	線照射Raman測定による歪Si/SiGe/Si基板の結晶性評価
67.	2004/03	ＤＵＶラマン分光とＶＩＳラマンイメージによる歪Si/GeSi/Si基板の評価
68.	2004/03	ＭＯＣＶＤ法によるＮｉの成膜
69.	2004/03	ＳＯＩのＰＬを用いた表面酸化膜の評価
70.	2004/01	陽電子消滅法を用いたHigh-k膜の欠陥解析
71.	2003/12	Sub-10-nm Planar-Bulk-CMOS Devices using Lateral Junction Control
72.	2003/12	低速陽電子ビームによるHigh-kをゲート絶縁膜として用いたＭＯＳの評価
73.	2003/12	陽電子消滅による金属酸化物の欠陥解析
74.	2003/11	SOI-current status and trend in the future
75.	2003/10	Precursors for NiSi MOCVD
76.	2003/09	Body Contact structure using Eleveted Field Insulator for Ultra-Thin Film SOI-MOSFET
77.	2003/09	Comparison of SOI Wafer Mappings between Photoluminescence Intensity and Photoconductive Decay Lifetime
78.	2003/09	NiSi MOCVD for FinFET and UTB-SOI
79.	2003/09	Nonuniformity of SOI Wafers Manifested by Photoluminescence and Lifetime Mapping
80.	2003/09	Precursors for chemical vapor deposition of NiSi
81.	2003/08	Nonuniformity of SOI Wafers Manifested by Photoluminescence and Lifetime Mapping
82.	2003/08	低速陽電子ビームによるPoly-Si/HfSiO_x_/Si構造の空孔型欠陥の検出
83.	2003/08	ＭＯＣＶＤ法によるNiSi（Ⅰ）―原料
84.	2003/08	ＭＯＣＶＤ法によるNiSi（Ⅱ）―成膜
85.	2003/05	先端デバイス開発動向とＳＯＩ基板への期待
86.	2003/04	Evaluation of commercial Ultra-thin SOI Substrates using Confocal Laser Inspection System
87.	2003/03	レーザーコンフォーカル検査システムを用いた市販超薄膜ＳＯＩ基板の評価
88.	2003/03	基板浮遊効果を抑制したゲート長60nm薄膜ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ
89.	2003	LSI開発の現状と今後の課題
90.	2003	Vacancy-type defects in SOI wafwrs probed by monoenergetic positron beam
91.	2003	市販ＳＯＩ基板中欠陥の分布および構造解析
92.	2002/12	SOI Formation by Light ION Implantation and Annealing in Oxigen Including Atmoshere
93.	2002/11	Characterization of silicon-on-insulator wafers by monoenergetic positron beams
94.	2002/11	Partial SOI/SON Formation by He^+^ Implantation and Annealing
95.	2002/10	Organometallic Hf and Si precursors for Hf_1-x_Si_x_O_2_ thin film formation formation
96.	2002/09	Evaluation of SOI substrates by positron annihilation
97.	2002/09	Reduction of Pattern Edge Defects in Partial SOI by LII (Light Ion Implantation) Technique
98.	2002/09	Reduction of Pattern Edge Defects in Partial SOI by LII (Light IonImplantation) Technique
99.	2002/09	せり上げ素子分離を用いたボディーコンタクト構造をもつ薄膜ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ
100.	2002/09	軽元素注入による部分ＳＯＩ/ＳＯＮの形成
101.	2002/09	Ｈｆ_1-x_Ｓi_x_Ｏ_2_成膜のためのＣＶＤ用Ｓi原料
102.	2002/08	Organometallic Hf and Si precursors for Hf_1-x_Si_x_O_2_ thin film formation characterization
103.	2002/08	Organometallic Hf and Si precursors for Hf_1-x_Si_x_O_2_ thin film formation sythesis
104.	2002/03	低速陽電子ビームによるＳＯＩウエハーの欠陥と水素の相互作用の研究
105.	2002	有機金属原料を用いたハフニウムシリケート薄膜ＣＶＤ
106.	2001/10	"HfO_2_ and Hf_1-x_Si_x_O_2_ deposition by MOCVD using TDEAH
107.	2001/10	BOX Layer Formation by Oxygen Precipitation at Implantation Damage of Light Ions
108.	2001/10	陽電子消滅によるＳＯＩ（Si-on-insulator)基板の評価
109.	2001/09	Novel SOI fabrication process by light ion implantation and annealing in oxigen including atmosphere
110.	2001/09	Oxygen-Related Defects and Their Annealing Behavior in Low-Dose Seperation-by-Implanted Oxigen (SIMOX) Wafers Studied by Slow Positron Beams
111.	2001/09	軽元素注入ダメージへの酸素析出を利用したＳＯＩ形成
112.	2001/09	ＭＯＣＶＤによるＨｆＯ_2_膜の堆積―シリケート成膜
113.	2001/09	Ｘ線回析法によるnovelＳＩＭＯＸのＢＯＸ層の構造評価
114.	2001/07	Formation of Epitaxially Ordered SiO_2_ in Oxygen-implanted Silicon During Thermal Annealin
115.	2001/07	MOCVD precursors for Ta and Hf compound films
116.	2001/06	Ｈｆ(ＮＥｔ_2_)_4_を原料ガスとして用いたＨｆＯ_2_薄膜の堆積
117.	2001/06	ＭＯＣＤＶ法によるＨｆＯ_2_膜の堆積
118.	2001/04	Characterization of Optical Lifetime in Silicom-on-insulator wafers by Photoluminescence Decay Method
119.	2001/04	HfO_2_ Film Formation by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
120.	2001/04	ＰＬおよび陽電子消滅による欠陥評価
121.	2001/03	Gas Phase Chemical Reaction in Tantalum Nitride Low-pressure Chemical Vapor Deposition
122.	2001/03	ＭＯＣＶＤ法によるＨｆＯ_2_膜の堆積（Ⅰ）
123.	2001/03	ＭＯＣＶＤ法によるＨｆＯ_2_膜の堆積（Ⅱ）
124.	2001/03	Ｘ線回析法によるＳＩＭＯＸのＢＯＸ形成過程の評価
125.	2000/11	Control of buried oxide formation in low-dose SIMOX process
126.	2000/10	LPCVD of TaCN thin film for barrier layer in Cu interconnection
127.	2000/10	Photoluminescence Analysis of Anealing Process in Low-Dose SIMOX Wafers
128.	2000/09	低速陽電子によるＳＯＩの評価（Ⅰ）―ＳＩＭＯＸプロセス
129.	2000/09	低速陽電子によるＳＯＩの評価（Ⅱ）―基板間比較
130.	2000/09	励起光の侵入長を変化させたＰＬによるＳＯＩウェハーの評価
131.	2000/09	ＭＯＣＶＤＯＣＶＤ法によるＴａＮ膜の堆積
132.	2000/08	Evaluation of SOI substrates by positron annihilation
133.	2000/06	紫外光励起フォルトミネセンスによるＳＯＩウエハーの評価
134.	2000/03	ＳＩＭＯＸウェハーにおける高温熱処理過程のＰＬ評価（Ⅱ）
135.	1999/10	Evaluation of buried oxide formation in low-dose SIMOX process
136.	1999/09	SIMOX/BOX形成時における酸素の内方・外方拡散
137.	1999/09	ＳＩＭＯＸウェハーにおける高温熱処理過程のＰＬ評価
138.	1999/09	ＳＯＩにイオン注入したＡｓおよびＢの分布測定
139.	1999/07	低ドーズＳＩＭＯＸにおける酸素析出過程の制御
140.	1999/05	Novel SIMOX with BOX at Damage Peak
141.	1999/03	ダメージピークに埋め込み酸化膜を持つＳＩＭＯＸ
142.	1999/01	低ドーズＳＩＭＯＸにおける酸素析出過程の制御
143.	1998/12	ＳＯＩ基板の現状とサブ0.1umデバイス適用への課題
144.	1998/10	Defect Characterization in UNIBOND Wafers by Pholumine scemce Spectroscopy and Transmission Electron Microscopy
145.	1998/09	Deep-LevelのＰＬに着目したＳＯＩウェハーの結晶性評価
146.	1998/09	Oxigen Precipitates amd Related Defects in SOI Substrate Fabricated by Wafer Bonding and H^+^ Splitting
147.	1998/09	低ドーズＳＩＭＯＸにおける埋め込み酸化膜形成過程の制御
148.	1998/03	室温紫外線励起ＰＬマッピングによるＳＯＩウエハーの評価
149.	1997/10	酸素注入したＳi基板の熱処理による酸化膜形成過程
150.	1997/10	ＳＩＭＯＸ埋め込み酸化膜中のトラップレベル評価
151.	1997/10	ＳＯＩ基板に形成したＬＯＣＯＳ分離歪の精密測定
152.	1997/09	Preciese Measurement of Strain in SOI Induced by Local Oxidation
153.	1997/03	低ドーズＳＩＭＯＸにおけるドーズウィンドウの拡大
154.	1996/09	電圧印加エッチストップによる貼り合わせＳＯＩの薄膜・均一化（Ⅱ）
155.	1996/08	Thinning of SOI Bonded Wafers by Applying Voltageduring KOH
156.	1996/04	Evaluation of the Depth Profile of Defects in SIMOX
157.	1996/03	低ドーズＳＩＭＯＸ基板の膜厚方向欠陥分布測定
158.	1996/03	電圧印加エッチストップによる貼り合わせＳＯＩの薄膜化
159.	1996/01	表面選択Ｘ線トポグラフィによるＳＯＩ基板の評価
160.	1995/10	Highly Uniform SOI Fabrication by Appling Voltage during KOH Etching of Bonded Wafers
161.	1995/09	Study on Size Zelected,Matrix Isolated Siclusters
162.	1995/08	電圧印加エッチストップによる張り合わせＳＯＩの薄膜・均一化
163.	1995/03	ラマン分光法によるＳiクラスターの構造決定
164.	1995/03	ＳＯＩ基板表面近傍の結晶完全性の評価
165.	1995/01	マトリクス分離した単一サイズＳiクラスターの研究
166.	1994/11	ラマン分光法によるＳiクラスターの構造決定
167.	1994/09	ラマン分光法によるＳiクラスターの構造決定
168.	1994/03	Raman spectroscopy of matrix-isolated monodisperse Si Clusters
169.	1993/11	Raman spectroscopy of size selected, matrix isolated Si clusters
170.	1993	Raman spectroscopy of Si cluster
171.	1992/09	トンネルエピキタシーⅣ―ＳＯＩ　ＭＯＳＦＥＴの試作―
172.	1992/09	Ｃｕ膜質の堆積温度依存性
173.	1992/06	トンエルエピキタシー
174.	1992/03	ＳＯＩ　ＭＯＳＦＥＴのカットオフ特性の検討
175.	1991/10	An Investigation on the Cutoff Characteristics of sub-quater-micron SOI MOSEET
176.	1991/10	トンネルエピキタシーⅢ―ＳＯＩ領域の大面積―
177.	1991/10	ＳＯＩ　ＭＯＳＦＥＴにおけるカットオフ特性の検討
178.	1990/09	トンネルエピキタシーⅡ―超薄膜ＳＯＩの形成―
179.	1990/06	Novel Technique for Si Epitaxial Lateral Overgroth:Tunnel Epitaxy
180.	1990/05	Imporovement of SiO_2_/Si Interface Flatnesws by Post Oxidation Anneal
181.	1990/01	ステップレーザーアニール法によるＳＯＩの種無し結晶方位制御
182.	1989/10	Novel Technique for Si Epitaxial Lateral Overgroth:Tunnel Epitaxy
183.	1989/10	SOI characterization and orientation control:XTEM observat ion and 2-step laser annealing
184.	1989/09	Si/SiO_2_ interface Structure in SOI and Thermally Oxidized S
185.	1989/09	２ステップレーザアニール法によるＳＯＩの種なし結晶方位制御
186.	1989/09	ＥＬＯの横/縦成長比の向上―トンネルエピキタシー―
187.	1989/02	高分解能ＴＥＭによる半導体界面の評価
188.	1988/11	Interface Structures in Lateral Seeding Epitaxial Si on SiO_2_
189.	1988/10	横方向エピタキシャル成長で形成したＳＯＩ／ＳｉＯ_2_界面の構造
190.	1988/05	High-speed VTR Observation of SOI Laser Annealing
191.	1988/03	SiO_2_/Si_3_N_4_ストライプ上での＜100＞配向Ｇｅの結晶粒成長
192.	1987/11	ガスソースＳｉ－ＭＢＥ
193.	1987/10	ＳＯＩレーザアニールの高速度ビデオ観察
194.	1987/08	Gas Source Si□MBE Using SiH_4_
195.	1987/03	２ステップレーザーアニール法によるＳＯＩの種なし結晶方位制御
196.	1986/09	レーザーアニールＳＯＩの断面ＴＥＭ観察
197.	1986/09	レーザーアニールＳＯＩの結晶面方位とＭＯＳＦＥＴ特性との関係
198.	1986/09	レーザーアニールＳＯＩの結晶面方位とＭＯＳＦＥＴ特性との関係（Ⅱ）
199.	1986/09	選択反射防止膜法ＳＯＩ形成における位置合わせ
200.	1986/09	ＭＯ－ＡＬＥによる３インチ基板上へのＧａＡｓ高均一成長
201.	1986/08	Atomic Layer Epitaxy of Uniform GaAs on 3-inch Substrate in Low Pressure MOCVD System
202.	1986/04	＜100＞配向Ｇｅ膜の結晶粒成長
203.	1985/10	＜100＞texture poly-Si膜を用いたＳＳＩＣ法の試み
204.	1985/10	ＡＩＮ層間絶縁膜によるＳＯＩ膜の歪低減効果
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■ 学歴

1.	～1991/03	早稲田大学理工学研究科電子工学専攻博士課程
2.	1991/03 (学位取得)	早稲田大学工学博士
3.	～1984/03	早稲田大学理工学研究科電子工学専攻修士課程修了
4.	～1982/03	早稲田大学理工学部電子通信学科卒業

■ researchmap研究者コード

6000003067