(最終更新日:2021-07-10 11:10:51)
  ヨコガワ リョウ   YOKOGAWA RYO
  横川 凌
   所属   明治大学  理工学部
   職種   助教
■ 著書・論文
1. 2021/07 論文  Dependency of a localized phonon mode intensity on compositional cluster size in SiGe alloys AIP Advances 11(7),pp.075017-075017 (共著) 
2. 2021/05 論文  Thermal conductivity and inelastic X-ray scattering measurements on SiGeSn polycrystalline alloy Japanese Journal of Applied Physics 60(SB) (共著) 
3. 2020/12 論文  Strain evaluation in Ge and Sn implanted Si layers with laser and rapid thermal annealing Materials Science in Semiconductor Processing 120,pp.105282-105282 (共著) 
4. 2020/11 論文  Origin of carrier lifetime degradation in floating-zone silicon during a high-temperature process for insulated gate bipolar transistor Japanese Journal of Applied Physics 59,pp.115503-1-115503-6 (共著) 
5. 2020/09 論文  Evaluation of Thermal Conductivity Characteristics in Polycrystalline Silicon - The Effect of Nanostructure in the Grains ECS Transactions 98(5),pp.437-446 (共著) 
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■ 学会発表
1. 2021/07/02 放射光X線回折による酸化膜/Si界面の熱特性評価の検討(第5回フォノンエンジニアリング研究会)
2. 2021/03/18 ラマン分光法によるAsイオン注入Siの歪評価(第68回応用物理学会春季学術講演会)
3. 2021/03/18 ラマン分光法およびPL法を用いたSiトレンチ加工による結晶欠陥評価(第68回応用物理学会春季学術講演会)
4. 2021/03/17 X線逆格子空間マッピングを用いたメサ構造状カーボンドープシリコンにおける3軸歪評価(第68回応用物理学会春季学術講演会)
5. 2021/03/17 X線非弾性散乱法によるBulk SiGeフォノンスペクトルの線幅測定(第68回応用物理学会春季学術講演会)
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■ 学歴
1. 2017/04~2020/03 明治大学 理工学研究科 電気工学専攻修了 博士(工学)
2. 2015/04~2017/03 明治大学 理工学研究科 電気工学専攻 修士課程修了 修士(工学)
3. 2011/04~2015/03 明治大学 理工学部 電気電子生命学科 卒業 学士(工学)
■ 職歴
1. 2020/04~ 公益財団法人高輝度光科学研究センター(JASRI) 客員研究員
2. 2017/04~2020/03 日本学術振興会 特別研究員DC1 日本学術振興会特別研究員
■ 所属学会
1. 2015/01~ 応用物理学会
■ researchmap研究者コード
R000002872
■ 研究課題・受託研究・科研費
1. 2021/04~2024/03  温度可変ラマン分光法によるSiGe混晶の微視的な熱伝導機構解明に関する研究 若手研究 
2. 2020/09~2022/03  温度可変放射光X線回折による熱電発電Siデバイスの局所領域熱特性評価に関する研究 研究活動スタート支援 
3. 2017/04~2020/03  ラマン分光オペランド測定による極微細熱電発電Siナノワイヤデバイスの熱伝導率評価 特別研究員奨励費 
■ 受賞学術賞
1. 2020/12 第四回フォノンエンジニアリング研究会 第四回フォノンエンジニアリング研究会 講演奨励賞 (X線非弾性散乱法で観測されるBulk SiGe単結晶フォノンスペクトルの振る舞い)
2. 2020/06 Applied Physics Letters Featured Article (Anomalous low energy phonon dispersion in bulk silicon-germanium observed by inelastic x-ray scattering)
3. 2020/02 電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第25回) 電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第25回) 研究会活性化奨励賞
4. 2019/01 電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第24回) 電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第24回) 研究会活性化奨励賞
5. 2017/03 明治大学大学院 大学院長賞
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■ 現在の専門分野
電子・電気材料工学 (キーワード:半導体、熱電発電デバイス) 
■ 科研費研究者番号
10880619
■ 担当経験のある科目・講演等
1. 電気電子材料1(明治大学)
2. 電気電子生命実験1A(明治大学)
3. 電気電子生命実験1B(明治大学)